Моделирование транспорта электронов в приповерхностной потенциальной яме полупроводника

• Автор: Клемешев, Владимир Алексеевич
• Шифр специальности: 05.13.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 134 с. : ил

1 Л. Общие вопросы, связанные с разработкой и применением

СТОХАСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ.

1.2. Особенности поведения частиц в твердом теле.

1.3. Обзор современных моделей транспорта электронов в полупроводниках.

1.4. Генераторы квазислучайных чисел

ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ ТРАНСПОРТА ЭЛЕКТРОНОВ

2.1. Описание физической модели.

2.2. Математический аппарат, необходимый для реализации стохастической модели.

ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ СТОХАСТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ.

3.1. Алгоритм.

3.2. Многозадачность

3.3. Вводвывод в i., .
3.4. Реализация численных методов.
ГЛАВА 4. РЕАЛИЗАЦИЯ СТОХАСТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ТРАНСПОРТА ЭЛЕКТРОНОВ.
4.1. Схемы алгоритмов модели транспорта электронов в ПОЛУПРОВОДНИКЕ
4.2. Результаты моделирования транспорта электронов в случае одномерной модели.
4.3. Результаты моделирования транспорта электронов в случае трехмерной модели.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


В данную главу включены краткое описание построенных приложений для моделирования транспорта электронов одно и трехмерный варианты и результаты моделирования транспорта электронов с использованием различных физических моделей этого процесса. Глава 1. Работы по численному моделированию начали развиваться с первых лет появления вычислительных машин. В вычислительной физике появилось новое направление физика частиц, главным инструментом которой является моделирование поведения ансамбля частиц с помощью решения уравнений движения для каждого элемента. При таком подходе поведение модельного ансамбля отображает поведение реального, а моделирование называется имитационным. Круг интересов этого направления чрезвычайно широк, например, это описание атмосферных и плазменных явлений, нейтронных потоков и эволюции галактик и т. Метод частиц является одним из основных алгоритмов математического моделирования кинетических процессов. Часто данный метод основывается на методе МонтеКарло, т. Подобные процессы принято называть стохастическим моделированием или моделированием методом МонтеКарло. Различают I одночастичный и многочастичный методы МонтеКарло при моделировании кинетических процессов. Многочастичные задачи возникают в нескольких ситуациях. Вопервых, при рассмотрении нестационарных процессов, но ряд таких задач, где нет взаимодействия между частицами, можно свести к одночастичным, Вовторых, большинство самосогласованных, хотя и стационарных задач, решается с помощью временных итераций, Например, это процедура МонтеКарло с одновременным решением уравнения Пуассона для ансамбля частиц, где взаимодействие между частицами происходит через суммарный потенциал.