Математические модели термостабилизации полупроводниковых пластин газовой прослойкой для синтеза устройств в линиях фотолитографии

• Автор: Коваленко, Владислав Борисович
• Шифр специальности: 05.13.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 233 с.

1.1 Общие тенденции развития полупроводникового производства

1.2. Обзор оборудования

1.3. Теоретические предпосылки создания устройств термообработки тонких дисков

1.4. Цели и задачи исследования Глава 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ГИДРОДИНАМИКИ

ТЕЧЕНИЯ ГАЗА В ПРОЦЕССЕ ТЕПЛООБМЕНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА НЕСУЩЕЙ ГАЗОВОЙ ПРОСЛОЙКЕ НА ЭТАПЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ
2.1. Принципиальная схема устройств теруюстабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке
2.2. Исходные данные для моделирования устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке
2.3. Математическая модель течения газа в устройствах термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке и ее исследование
Глава 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВАХ ГЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА НЕСУЩЕЙ ГАЗОВОЙ ПРОСЛОЙКЕ В ПРОЦЕССЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ
3.1. Математическая модель теплообмена в системе полупроводниковая пластина несущая газовая прослойка
3.2 Исследование математической модели устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке при течении газа от центра к периферии
3.3. Исследование математической модели устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке при течении газа от периферии к центру
3.4. Определение рациональных конструктивных и функциональных параметров устройств термообработки полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке
Глава 4. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
4.1. Техника экспериментов
4.2. Методика экспериментов и обработки экспериментальных
данных
Глава 5. ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ
5.1. Методика инженерного расчета
5.1.1. Методика инженерного расчета устройства устройств термостабилизации полупроводниковых пластин
5.1.2 Пример расчета устройства термостабилизации полупроводниковых пластин
5.2. Промышленное использование устройств термообработки полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


ПРИЛОЖЕНИЕ 1
прижимается за счет создания разряжения между поверхностью полупроводниковой пластины и рабочей поверхностью держателя, а в случае электростатического прижима за счет создания разности потенциалов между держателем и изделием с использованием электростатического эффекта. Табл. В случае термообработки с использованием принципа внутренних источников тепла для их создания полупроводниковую пластину облучают микроволновым излучением. Термообработка тепловым излучением подразумевает использование для нагрева пластины инфракрасных излучателей. В случае подвода или отвода тепла с использованием теплопроводности нагрев или охлаждение пластины происходит в результате контакта поверхностей устройства и изделия с разными температурами . При использовании конвективного теплообмена термообработка осуществляется в результате охлаждения или нагрева полупроводниковой пластины потоками газа . Микроволновый метод, использующий сверхвысокочастотное электромагнитное излучение , , , , позволяет очень быстро доли секунд получить высокие более 0 С температуры. С другой стороны это является недостатком, т. Установки, реализующие данный метод, обладают относительно более громоздкой конструкцией изза необходимости применения защитных экранов. Ещ одним сдерживающим фактором для развития использования сверхвысокочастотного электромагнитного излучения для термообработки является возникновение нежелательных изменений в полупроводниках под воздействием высокочастотного излучения, что не позволяет использовать данный метод на тех технологических этапах, где пластины уже имеют покрытие из полупроводниковых материалов.