Математическое моделирование диффузии в многокомпонентных твердых растворах A III B V

• Автор: Литвин, Наталья Владимировна
• Шифр специальности: 05.13.16
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Новочеркасск
• Количество страниц: 167 с. : ил.

1. Обзор литературы и постановка задачи исследования.

1.1. Дефектообразование и диффузия в полупроводниковых структурах

1.2. Влияние различных факторов на диффузию1

1.3. Математические модели диффузии в полупроводниковых структурах5О

1.4. Постановка задачи исследования.

2. Модель самодиффузии при вакансионном механизме.

2.1. Самодиффузия при вакансионном механизме.

2.2. Влияние примесных пар на самодиффузию примеси в ГЦКрешеткеФв

2.3. Влияние вакансионных пар на коэффициент диффузии примеси

2.4. Выводы.ЮЗ

3. Феноменологическая модель диффузии в полупроводниковых структурах при вакансионном механизме.
3.1. Модель самодиффузии в многокомпонентных твердых растворах.
3.2. Модель диффузии в неоднородной по составу системе.
3.3. Модель взаимной диффузии в бинарной системе.
3.4. Выводы
4. Модель диффузии в твердых растворах при наличии структурных дефектов.
4.1. Диффузия примеси при гетерогенной реакции.ЪО
4.2. Влияние конечной скорости химической реакции на структуру
границы раздела фаз
4.3. Выводы
Основные выводы .
Список литературы


Комплексы донорных атомов и дислокаций наблюдались в германии . Поскольку на дислокациях некоторая часть валентных связей германия не насыщена, дислокация действует как многократно ионизованный акцептор и стремится захватить электроны, поставляемые атомами донора. В результате этого дислокации приобретают отрицательный заряд, а атом донора положителынлй. Это, в свою очередь, может вызвать два явления I образование ассоциатов дислокация донор 2 возникновение вокруг дислокаций ионной атмосферы, состоящей из ионизованных доноров. Влияние различных факторов на диффузию. Для большинства кристаллических твердых тел следует ожидать, что высокое гидростатическое давление должно приводить к уменьшению концентрации структурных дефектов и скорости атомной диффузии . Рассмотрение влияния давления или деформации на диффузию в твердых телах обычно производят с помощью активационного объема . V дДО ЗРг, где Дв изменение свободной энергии Гиббса 5 энтропия V объем Р давление . Явное выражение активационного объема легко можно получить из соотношений 1. В общем случае второй член в 1. Здесь У и Ут изменение объема кристалла при образовании дефекта и его миграции благодаря локальному расширению кристаллической решетки при перескоке. Ситуация существенно изменяется при неоднородном давлении на кристалл. В результате этого может возникнуть направленный поток вакансий или межузельных атомов. Поля упругих напряжений в кристаллах могут возникать не только под воздействием внешних сил, но и благодаря внутренним источникам. Дв Ус1Р ЯсГГ,
1.