Моделирование характеристик КМОН ИС с учетом радиации в САПР ИЭТ

• Автор: Зольникова, Анна Николаевна
• Шифр специальности: 05.13.12
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 109 с. : ил.

1.2. Эффекты, воз икающие в КМОП ИС, при воздействии радиации

1.3. Методы оценки стойкости КМОП ИС к радиационному воздействию и моделирование реакции ИС

1.4. Критерии радиационной стойкости КМОП ИС.

1.5. Методология проектирования радиационностойких ИС и определения показателей радиационной стойкости в САПР ИЭТ.

1.6. Цель и задачи исследования

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОГО ОТКЛИКА ИС НА ВОЗДЕЙСТВИИ ИИ В САПР ИЭТ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕОБХОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ

2.1. МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ВИДОВ ИИ

2.1.1 Экспериментальные исследования воздействия ИИ на КМОП ИС.

2.1.2. Математические модели и их характеристик для моделирования работы компонентов ИС в условиях

воздействия радиации в САПР ИЭТ.

2.1.3 Методика определения параметров компонентов ИС для схемотехнического моделирования.
2.2. Моделирование импульсных видов ИИ.
2.2.1. Моделирование переходных процессов в структуре КМОП ИС
2.2.2. Моделирование переходных процессов в КМОП ИС на схемотехническом уровне.
2.2.3. Схемотехническое моделирование реакции ИС на ИИ.
ГЛАВА 3. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ИС В САПР ИЭТ.
3.1. СТРУКТУРА ПРОГРАММНЫХ средств проектирования ИС С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
3.1.1. Комплекс программ расчета стойкости микросхем по необратимым эффектам.
3.1.2. Комплекс программ расчета изменения электропараметров микросхем при воздействии импульсных видов излучения.
3.2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ИС С ПОМОЩЬЮ САПР ИЭТ
3.2.1. Реализация системного подхода при проектировании радиационностойких ИС в разработанной подсистеме
3.2.2. Режимы работы подсистемы
ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОВЕДЕНИЯ ИС И ЭФФЕКТИВНОСТЬ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ.
4.1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ И ЭФФЕКТИВНОСТИ РАЗРАБОТАННЫХ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ.
4.2 ВНЕДРЕНИЕ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ
4.3. Разработка методического обеспечения
3 АКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУР А.1
Введение
Актуальность


По длительности воздействия излучения делятся на непрерывные и импульсные, главным отличием которых являегся продолжительность воздействия. Следует подчеркнуть, что сравнение времени воздействия импульса производится с временами протекания процессов в рассматриваемой системе. Корпускулярное излучение представляет собой излучение, состоящее из частиц с массой, отличной от нуля. Частицы такого излучения отличаются друг от друга массой и зарядом и поразному взаимодействуют с веществом. Квантовое излучение представляет собой электромагнитное излучение и, в зависимости от длины волны, оно может быть рентгеновским или гаммаизлучением. Для данных видов излучения существуют определенные характеристики, которые характеризуют собственно излучение. Рассмотрим основные из них. Флюенс отношение числа ионизирующих частиц, проникающих в объем элементарной сферы, к площади поперечного сечения этой сферы. Плотность потока равна отношению потока ионизирующих частиц числа частиц, падающих на данную поверхность, за единиц времени, проникающих в объем элементарной сферы, к площади поперечного сечения. Экспозиционная доза излучения отношение суммарного заряда всех ионов одного знака, созданных в воздухе, когда все электроны и позитроны, освобожденные фотонами в элементарном объеме воздуха, полностью остановились в воздухе, к массе воздуха в указанном объеме. Поглощенная доза или просто доза излучения отношение средней энергии, переданной ионизирующим излучением веществу в элементарном объеме, к массе вещества в этом объеме.