Разработка и исследование метода проектирования технологических процессов выращивания монокристаллов для изделий микроэлектроники

• Автор: Серов, Александр Алексеевич
• Шифр специальности: 05.13.12
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 232 с. : ил

I. Глава 1. Состояние проблемы. II. Глава 2. Введение. Уравнения математической модели доя решения задачи Стефана. Разнесенная разностная сетка. Уравнения разностной схемы . Заключение к главе 2. III. Глава 3. Исследование разработанного метода проектировании. Введение. Стефана. Заключение к главе 3. IV. Глава 4. Структура и характеристики разработанного комплекса программ. Аз в условиях микрогравитации. Заключение к главе 4. VI. Литература . Приложение 1. Приложение 2. Разностная аппроксимация граничных условий. Приложение 3. Результаты исследования разностной схемы. Приложение 4. Проектирование технологических условий проведения процесса выращивания монокристаллов 0
объеме каждой из фаз. При ограничениях вычислительного характера, о которых будет упомянуто ниже, вид граничных условий и условия, определяющего скорость перемещения 1раницы раздела фаз определяется только физической моделью исследуемого процесса. Этот факт открывает широкое поле для исследовательской деятельности в области, как физики, так и технологии процесса кристаллообразования.


Исследование свойств созданной разностной схемы на двух тестовых задачах позволило на практике подтвердить теоретически доказанное положение о ее свойствах консервативности. Решение задачи Стефана при использовании разработанной разностной схемы может с успехом проводиться даже на грубых расчетных сетках. Результаты данной работы публиковались на разных этапах в печати и докладывались на международных конференциях 4 , 5 , 2 , 7 , 8 , 9 , 7 , 6, , 5 . Значительная часть промышленного производства объемных монокристаллов, производимых для изготовления изделий микроэлектроники, приходится в настоящее время па долю методов выращивания из жидкой фазы. Структурный состав данной модели в таком случае соответствует двум последовательно исполняемым технологическим стадиям процесса выращивания монокристаллов из расплава. На Рис. Исходные данные, вводимые перед началом выполнения проектных процедур, делятся на две группы конструкционную и технологическую. Операция ввода исходных конструкционных данных. Конструкционная группа исходных данных включает одноименные характеристики оборудования, используемого при выращивании монокристаллов. К ним относятся данные по геометрии технологического объема, в котором происходит процесс выращивания кристаллов, теплофизические и метрические параметры элементов конструкции электропечи и вспомогательного оборудования. Конструкционная фуппа исходных данных включает сведения о материале, из которого изготовлены нагревательные элементы, теплоизоляционный слой электропечи и их расположении. Рис. Блоксхема маршрута проектирования технологического процесса выращивания монокристаллов из расплава.