Автоматизация управления проектированием плёночных аттенюаторов и резисторов

• Автор: Малышев, Александр Владимирович
• Шифр специальности: 05.13.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 212 с. : ил

1. ОБОСНОВАНИЕ НЕОБХОДИМОСТИ АВТОМАТИЗАЦИИ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЕМ ПЛНОЧНЫХ АТТЕНЮАТОРОВ И РЕЗИСТОРОВ.

1.1. Современное состояние производства ИС СВЧ.

1.2. Задачи проектирования поглощающих элементов на основе однородных РРС.

1.3. Задачи анализа и синтеза поглощающих элементов на основе сегментарнооднородных резистивных структур
1.4.Задачи анализа частотных характеристик и оптимизации конструкции МЭУ с поглощающими элементами на РРС
2. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛЕННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР

2.1. Анализ и синтез поглощающих элементов на РРС прямоугольной формы .

2.2.Анализ и синтез поглощающих элементов с резистивной плнкой сложной геометрической формы.

2.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией сопротивлений

2.4. Оценка и коррекция технологических погрешностей изготовления поглошаюших элементов на основе сегментарнооднородных
структур
3. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЕГМЕНТАРНООДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.
3.1. Анализ и синтез поглощающих элементов прямоугольной формы.
3.2. Анализ и синтез поглощающих элементов сложной геометрической формы
3.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией сопротивлений.
4. АНАЛИЗ ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОПТИМИЗАЦИЯ
КОНСТРУКЦИИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ С
ПОГЛОЩАЮЩИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ НА ОСНОВЕ РАСПРЕДЕЛННЫХ
РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.
4.1. Схема замещения микроэлектронных устройств с малогабаритными
навесными поглощающими элементами.
4.2 Определение емкостных параметров схемы замещения
микроэлектронного устройства.
4.2.1. Определение компонент Сз .
4.2.2. Определение компонент СЬ
4.2.3. Определение компонент С.
4.2.4. Определение параметра Сз.
4.3. Определение индуктивных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства.
4.4. Анализ и экспериментальная проверка частотных характеристик микроэлектронных устройств с поглощающими элементами.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Определение компонент С. Определение параметра Сз. Определение индуктивных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства. Анализ и экспериментальная проверка частотных характеристик микроэлектронных устройств с поглощающими элементами. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ПРИЛОЖЕНИЕ 1 . ПРИЛОЖЕНИЕ 22. ПРИЛОЖЕНИЕ 3 . ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Ъ
Рис. Т 2 . И . II . Рис. Варианты топологии поглащающего элемента с прямоугольной резистивной плнкой. Лапласа, чрезвычайно широк и включает в себя задачи электродинамики сплошных сред, электронной оптики, электронной статики и магнитостатики, акустики, теории теплопроводности, гидромеханики, теории фильтрации, теории упругости и. ПЭ на основе РРС представляет собой в общем случае сложную задачу, для решения которой целесообразно рациональное сочетание аналитических ,, универсальных численных методов и методов физического моделирования. Для решения задач анализа определение производных от структуры двумерного поля потенциалов параметров схемы замещения ПЭ, синтеза и оптимизации Г1Э на основе однородных РРС с произвольным количеством проводящих контактов расположенных по периметру односвязной резистивной области, наиболее эффективны методы теории функции комплексного переменного . Основная идея этих методов заключается в сведении смешанной краевой задачи для ПЭ рис. В отличие от традиционного подхода , в качестве стандартной, в работе выбрана смешанная краевая задача рис. КелдышаСедова и позволяет вычислить неопределенную матрицу параметров ПЭ, минуя стадию определения поля . Хк. Ук.