Автоматизация и управление процессом производства пленочных аттенюаторов и резисторов

• Автор: Малышев, Александр Владимирович
• Шифр специальности: 05.13.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 214 с.

1. ОБОСНОВАНИЕ НЕОБХОДИМОСТИ АВТОМАТИЗАЦИИ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПРОИЗВОДСТВА ПЛНОЧНЫХ АТТЕНЮАТОРОВ И РЕЗИСТОРОВ.

1.1. Современное состояние производства ИС СВЧ.

1.2. Задачи разработки поглощающих элементов на основе

однородных РРС.

1.3. Задачи анализа и синтеза поглощающих элементов на основе сегментарнооднородных резистивных структур.

1.4.3адачи анализа частотных характеристик и оптимизации конструкции МЭУ с

поглощающими элементами на РРС.

2. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.

2.1. Анализ и синтез поглощающих элементов на РРС прямоугольной формы.

2.2.Анализ и синтез поглощающих элементов с резистивной плнкой сложной геометрической формы

2.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией

сопротивлений
2.4. Оценка и коррекция технологических погрешностей изготовления поглощающих элементов на основе сегментарнооднородных структур.
3. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ II ОСНОВЕ СЕГМЕНТАРНО
ОДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.
3.1. Анализ и синтез поглощающих элементов прямоугольной формы
3.2. Анализ и синтез поглощающих элементов сложной геометрической формы.
3.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией сопротивлений.
4. АНАЛИЗ ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКЦИИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ С ПОГЛОЩАЮЩИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ НА ОСНОВЕ РАСПРЕДЕЛННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.
4.1. Схема замещения микроэлектронных устройств с малогабаритными навесными поглощающими элементами.
4.2. Определение мкостных параметров схемы замещения микроэлектронного
устройства
4.2.1. Определение компонент i9
4.2.2. Определение компонент i
4.2.3. Определение компонент i
4.2.4. Определение параметра Сз.
4.3. Определение индуктивных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства.
4.4. Анализ и экспериментальная проверка частотных характеристик микроэлектронных устройств с поглощающими элементами
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Определение параметра Сз. Определение индуктивных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ЛИТЕРАТУРА. ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИЛОЖЕНИЕ 3. ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Рис. Рис. Варианты топологии поглащающего элемента с прямоугольной резистивной плнкой. Трудность заключается в его получении. Обстоятельный обзор методов решения круг научных и инженерных исследований, в которых требуется решение уравнений Лапласа, чрезвычайно широк и включает в себя задачи электродинамики сплошных сред, электронной оптики, электронной статики и магнитостатики, акустики, теории теплопроводности, гидромеханики, теории фильтрации, теории упругости и. ПЭ на основе РРС представляет собой в общем случае сложную задачу, для решения которой целесообразно рациональное сочетание аналитических ,, универсальных численных методов и методов физического моделирования. Для решения задач анализа определение производных от структуры двумерного поля потенциалов параметров схемы замещения ПЭ, синтеза и оптимизации ПЭ на основе однородных РРС с произвольным количеством проводящих контактов расположенных по периметру односвязной резистивной области, наиболее эффективны методы теории функции комплексного переменного . Основная идея этих методов заключается в сведении смешанной краевой задачи для ПЭ рис. В отличие от традиционного подхода , в качестве стандартной, в работе выбрана смешанная краевая задача рис. КелдышаСедова и позволяет вычислить неопределенную матрицу параметров ПЭ, минуя стадию определения поля .