Развитие принципов построения тонкопленочных многослойных ферромагнитных элементов

• Автор: Касаткин, Сергей Иванович
• Шифр специальности: 05.13.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 232 с. : ил.

Глава 1. Запоминающие элементы. Анизотропные запоминающие элементы. Датчики магнитного поля. Анизотропные датчики. Тонкопленочные магнитные ленты. Основа. Рабочий слой. Глава 2. Методы технологического исследования магниторезистивных элементов. Экспериментальное исследование магниторезистивных элементов
Первая схема ЗУ емкостью 4 Кбит на основе МРЗЭ была продемонстрирована на фирме в г. Эго энергонезависимое ЗУВ было изготовлено по тонкопленочной и КМОП технологиям с 1,5мкм топологическими нормами на кристалле размером 4,5x2,7 мм2. Схема работала от одного источника питания напряжением 5 В и по уровню выходного сигнала была совместима с ТТЛ. На базе двух ЗУ емкостью 4 Кбит каждое была изготовлена схема памяти, которая работала в диапазоне температур от до 5 С, время доступа составляло 0 не, время записи не, рассеиваемая мощность при работе на частоте I МГц 0 мВт. В г. I. V, посвященная разработке ЗУПВ емкостью 2 Кбит, для изготовления которого помимо традиционной КМОП технологии требуется только один дополнительный этап маскирования .


Время записи информации в ЗУ несколько наносекунд время доступа при считывании обратно пропорционально размеру ячейки. Размер ячейки для устройства емкостью 2 Кбит составлял 2,8x мкм2. Сигнал считывания данных этой ячейки 0,4 мВ. Структура МРЗЭ приведена на рис. АМР полоска формируется на изолирующем слое полупроводниковой подложки, в которой
сформированы схемы управления. В качестве полупроводникового материала обычно используется кремний р или типа проводимости, а изолирующего слоя нитрид кремния, служащий также барьером для О и предотвращающий окисление МР структуры изза диффузии последнего. МР сэндвичи ЗЭ объединены друг с другом с помощью низкоомных перемычек. Для развития работ по созданию ЗУПВ новых поколений на ЗЭ со СВМР эффектом существенна потенциальная возможность уменьшения размеров этих элементов до субмикронных размеров, что позволяет рассчитывать на плотность информации до битмм2 . По прогнозам i i, разрешающая способность литографии к ому году достигнет 0, мкм I7. Очевидно, что любые новые разрабатываемые элементы ЗУ должны быть в состоянии использовать открывающиеся возможности литографии. СВМРЗЭ этому условию отвечают . Кроме возможности значительного уменьшения размеров, СВМР эффект позволяет значительно увеличить сигналы считывания и быстродействие ЗУПВ . Исследовательский центр фирмы I Сан Хосе, США спроектировал и исследовал ЗЭ со статическим считыванием . ЗЭ представляет собой сэндвич размером 1x6 мкм2, состоящий из двух ферромагнитных слоев толщиной 9 нм, разделенных 2,,5 нм прослойкой меди. Один из слоев имеет высокое Н, изза антиферро.