Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость

• Автор: Артамонов, Алексей Сергеевич
• Шифр специальности: 05.13.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 207 с.

ВВЕДЕНИЕ . ГЛАВА 1. Средства проведения радиационных испытаний. Радиационные испытания с использованием рентгеновских имитаторов. Основные требования к рентгеновским имитаторам. Рентгеновский имитатор РЕИСИМ. Лазерный имитатор Радон5М. Направления развития лазерных имитаторов. Основные требования к изотопным имитаторам. Макет изотопного имитатора. ГЛАВА 2. Требования к аппаратнопрограммным средствам контроля . Состав аппаратнопрограммных средств контроля характеристик воздействия . Исследование возможности использования алмазного детектора для контроля излучения рентгеновского имитатора. ГЛАВА 3. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК РЕНТГЕНОВСКИХ ИМИТАТОРОВ. Требования к техническим средствам контроля воздействия рентгеновских имитаторов . Особенности схемы измерения реакции алмазного детектора . Аппаратнопрограммный комплекс для автоматизированного измерения пространственной неравномерности ноля рентгеновского имитатора РЕИСИМ. ГЛАВА 4. ЛАЗЕРНЫХ ИМИТАТОРОВ . Таблица 1. Отклонение энергетической зависимости чувствительности данных детекторов от чувствительности к фотонному излучению со средней энергией 1, МэВ не превышает 1 в диапазоне энергий 0,1.


Естественно, что при значительном объеме радиационных испытаний или при испытаниях на предельных уровнях воздействия при уровнях более радс указанные приборы не обеспечивают требуемой достоверности испытаний. В основу имитационных испытаний изделий с помощью рентгеновских имитаторов положена информация об однотипном характере изменений параметровкритериев облучаемых изделий, обусловленных поверхностными радиационными эффектами, при воздействиях фактора СЗ ИЗ и рентгеновских имитаторов. Количественные изменения параметровкритериев для обоих воздействий определяются долей энергии излучения, затрачиваемой на ионизацию диэлектрических структур поглощенной дозой ионизирующего излучения, с учетом процессов первичной рекомбинации, которые могут быть оценены аналитически или экспериментально . Следовательно,
поверхностные радиационные эффекты, возникающие в изделиях при облучении рентгеновским имитатором и при воздействии факторов СЗ ИЗ должны быть эквивалентными по влиянию на их параметрыкритерии стойкости ИС при условии равенства первично нспрорскомбинировавшего заряда, генерированного ионизирующим излучением различной природы. Одним из значительных потенциальных достоинств применения рентгеновских имитаторов для определения стойкости к воздействию факторов СЗ ИЗ является возможность использования локального воздействия на отдельные фрагменты ИС , что позволяет применять подобные имитаторы в технологическом процессе, например облучая различные тестовые структуры на его разных стадиях.