Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Автор:
Александров, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10, 05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN», автор — Александров, Сергей Борисович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10, 05.27.01. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2006 году. Объем работы: 185 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003303802. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов | Зубко, Светлана Петровна | 1999 |
| Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах | Старчук, Александр Сергеевич | 2006 |
| Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии | Зыков, Владимир Михайлович | 2002 |