Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Автор:
Александров, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10, 05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов | Чаплыгин, Алексей Николаевич | 2007 |
| Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната | Карбань, Оксана Владиславовна | 1999 |
| Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия | Иванийчук, Мария Тимофеевна | 1984 |