Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Автор:
Александров, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10, 05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN», автор — Александров, Сергей Борисович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10, 05.27.01. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2006 году. Объем работы: 185 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003303802. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP | Клочков, Алексей Николаевич | 2015 |
| Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии | Галеева, Александра Викторовна | 2011 |
| Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе | Слипченко, Сергей Олегович | 2004 |