Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Автор:
Александров, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10, 05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп | Румянцева, Анна Игоревна | 1999 |
| Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах | Бельков, Василий Валентинович | 2004 |
| Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний | Манцевич, Владимир Николаевич | 2009 |