Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Автор:
Александров, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10, 05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
185 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия | Ковчавцев, Анатолий Петрович | 2003 |
| Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x | Сидорчук, Стефания Федоровна | 1984 |
| Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе | Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич | 2014 |