Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода

• Автор: Кагадей, Валерий Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.04, 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 82 с. : ил.

1. Источники электронов и атомов водорода для обработки полупроводниковых материалов

1.1. Широкоаппертурный плазменный источник электронов.

1.2. Источник атомарного водорода на основе дугового газового разряда низкого давления
2. Взаимодействие пучков электронов и атомов водорода с поверхностью полупроводниковых материалов

2.1. Электронностимулированное осаждение углеродсодержащих плнок

2.3. Очистка и травление атомарным водородом поверхности полупроводниковых материалов
2.4. Шероховатость поверхности полупроводниковых материалов после обработки в атомарном водороде
2.5. Дефектность, привнеснная в приповерхностные слои при обработке в атомарном водороде

2.6. Очистка поверхности ваЛБ и от углеродсодержащих загрязнений

2.7. Пассивация поверхности ваАБ

3. Гидрогенизация металлических и полупроводниковых материалов в атомарном водороде проникновение, диффузия, комплексообразование .
3.1. Закономерности гидрогенизации ванадиевых плнок
3.2. Закономерности гидрогенизации образцов ОэАб
3.3. Пассивация мелких и глубоких центров в ваАБ
4. Кратковременно ускоренное испарение примеси из исходно аморфных ионнолегированных слов кремния при быстром электроннолучевом отжиге в вакууме.
4.1. Кинетика и механизм кратковременно ускоренного испарения примеси.
4.2. Влияние испарения на поведение оставшейся в ионнолегированном слое примеси.
5. Использование пучков электронов и атомов водорода при изготовлении полупроводниковых приборов
5.1. Обработка полупроводниковых структур в атомарном водороде при изготовлении приборов на основе ваАБ
5.2. Быстрый электроннолучевой отжиг в технологии приборов на основе и
ваАБ.
Заключение
Основные труды, опубликованные по теме диссертации.
Список цитируемой литературы


Разработаны методы и основы технологии обработки полупроводниковых структур низкоэнергетичными пучками электронов и атомов водорода, позволяющие получать полупроводниковые приборы с улучшенными электрофизическими характеристиками. В работе, представленной на защиту, автором внесн определяющий вклад, выраженный в планировании и проведении экспериментальных исследований, постановке задач при теоретическим моделировании, в анализе, интерпретации и формулировании выводов по результатам экспериментальных и теоретических исследований, а также в разработке и создании источника атомарного водорода, экспериментального оборудования и технологий. Теоретическое моделирование выполнялось при непосредственном участии Козырева А. В., Нефдцева Е. В., Маркова А. Б., Глазова I. Г. и Осипова И. В. Все результаты, составляющие научную новизну диссертации и выносимые на защиту, получены автором лично. Результаты, полученные в работе, использовались на предприятиях Научноисследовательский институт полупроводниковых приборов г. Томск, Электронстандарт г. СанктПетербург, Союз г. Новосибирск, а также в компаниях i i г. Катцрин, Израиль и i i г. СантаКлара, США. Материалы работы представлялись и обсуждались на научных семинарах Института сильноточной электроники СО РАН г. Томск ОАО Научноисследовательский институт полупроводниковых приборов, г. Томск на рабочих совещаниях ряда отраслевых организаций России на семинарах университета i г. Хайфа, Израиль ТельАвивского университета г. ТельАвив, Израиль Института имени Вейцмана, г.