Научно-методическое обеспечение экономического развития предприятий пищевой промышленности в условиях инвестиционной нестабильности

• Автор: Кочуров, Николай Иванович
• Шифр специальности: 08.00.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 127 с. : ил

Присутствие в кристаллах деформационных и двойниковых дефектов упаковки, дислокаций, микроискажений, а также высокая дисперсность размер блоков 5 м приводит к физическому уши рению дифракционных максимумов. По уширению дифракционных линий можно оценить размеры блоков мозаики, плотности дислокаций и др. В качестве первичных экспериментальных данных в методе рентгеновской дифракции обычно используют интегральную интенсивность иили полуширину дифракционного максимума. Интегральная интенсивность эго отношение площади под дифракционным максимумом к его высоте, а полуширина измеряется на его полувысоте. Дифракционные максимумы в ряде случаев могут иметь неправильную или асимметричную форму, ч то приводит к возникновению дополнительной ошибки при оценке величины полуширины на полувысоте. Поэтому, предпочтительным является метод измерения интегральной ширины рефлекса. Инструментальное уширение зависит от размеров щели счетчика, дублетности Ка излучения дифрактометра, что в совокупности вносит вклад в уширение дифракционных максимумов. Для оценки инструментального уширения используют эталонный образец, в качестве которого берут хорошо спеченный образец того же химического состава, что и исследуемый, или монокристаллический образец вещества с дифракционными максимумами, близкими с изучаемым образцом. После вычитания из интегральной ширины пика инструментального уширения, оставшаяся величина соответствует физическому уширению дифракционного максимума. Последняя, в свою очередь, может быть обусловлена двумя основными факторами первый уширение линии, связанное с малыми размерами образующих кристалл блоков мозаики В5, которые вызывают когерентное рассеяние рентгеновских лучей такие микроблоки часто называют областями когерентного рассеяния или сокращенно ОКР. Другой вклад в физическое уширение дифракционног максимума дают искажения кристаллической решетки, вызванные внутренними напряжениями, которые и приводят к изменению межплоскостных расстояний в решетке исследуемого образца Ва. Уширение, связанное с рассеянием рентгеновских лучей изза малых размеров блоков мозаики ОКР, составляющих кристаллиты, рассчитывается по формуле Шерера В5КЛокрсо, где К фактор формы, X длина волны, 0 угол дифракции. Вклад в уширение пика, вносимый искажениями
кристаллической решетки, описывается формулой Стокса Ва 2Даа0, где Даа относительная деформация решетки. Существует несколько способов расчета Э0кр и Даа, исходя из интегральной интенсивности. Вес они связаны с представлением результатов эксперимента в различных тригонометрических координатах, например в координатах РсобО или рл0 в зависимости от угла съемки рВЬ, где Вэкснерименталыю найденная интегральная интенсивность, а Ьинструментальная компонента. При этом изменение РсобО характеризует искажение решетки, а рЛ0 величину микроблоков. Если РсобО не зависит от 0 , то уширснис линии может быть целиком отнесено к размеру ОКР, который определяется как ОокрК1ШРсо, где Xдлина волны, определенная на гониометре, Кфактор формы частиц, Ирадиус гониометра в мм. Если же ЗАйО не зависит от 0, то все уширснис может быть отнесено к искажениям решетки. Для этого случая ДааЬ0 1 ООО, где радиус гониометра в мм. ПокрККЦСО5трСО5О5т1СО5О2р1СОт8т0, ДааХР2СО2соэ0 ООО РокрСРгсозОгэтОгрозОтО. Чтобы избежать влияния формы частиц на величины 1окР и Даа предлагается следующий метод вычислений 7. Сравнивают значения Р и р2 только для линий, отличающихся лишь порядком отражения, т. Ъткт и лИлки, где т и п натуральные числа. Используя найденные значения р для выбранных рефлексов, строят зависимость величины 1Л0ОКр2 рсоХ2 от 8шАА Полученную зависимость аппроксимируют прямой. Величина 1Оокр2, соответствующая значению ПЛ. Даа2. Хотя рентгеновские методы позволяют оценить такие важные характеристики твердофазных образцов, как размеры ОКР 0окр и величину микронапряжений Даа, исходя из этого нельзя точно оценить концентрацию точечных или протяженных дефектов, а можно только предполагать, какой больший или меньший вклад в наблюдаемое уширение ников даст тот или иной тип дефектности. Следовательно, нельзя точно сказать какой вклад в повышение активности компонента в каждом отдельном химическом процессе дает то г или иной тин дефектов.