Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе
- Автор:
Фомин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
108 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе», автор — Фомин, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 02.00.21. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2005 году. Объем работы: 108 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002745015. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кислородная нестехиометрия, ионный и электронный транспорт в твердых растворах на основе феррита стронция | Марков, Алексей Александрович | 2011 |
| Послойный синтез и исследование нанослоев неорганических соединений, содержащих анионы вольфрамовой, фосфорновольфрамовой или кремневольфрамовой кислот | Семищенко, Константин Борисович | 2012 |
| Электрохимическое формирование пространственно-упорядоченных металлических наноструктур в пористых матрицах | Напольский, Кирилл Сергеевич | 2009 |