Физико-химические основы стимулированного фазообразования и миграционного переноса для электрохимических технологий в электронике приборов СВЧ и медицинских аппаратов

• Автор: Фоменко, Любовь Афанасьевна
• Шифр специальности: 02.00.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 402 с. : ил.

Введение.

. Глава 1. Ювенильное фазообразование и кинетика процессов лазер

ного пиролиза пленок комплексов металлов с органическими лигандами КМОЛ.

1.1. Лазерный пиролиз пленок металлорганических соединений

как наиболее перспективный метод получения локальных структур МП и МД. Краткий аналитический обзор литературных данных.
1.2. Высокоскоростная твердофазная нуклеация по гопокинетическому механизму при лазерном пиролизе пленок КМОЛ с прочной связью металллиганд
1.3. Сверхвысокоскоростная газофазная нуклеация по механизмам слабого и сильного фазового взрыва при лазерном пиролизе пленок КМОЛ с непрочной связью металллиганд.

1.4. Методика эксперимента.

1.5. Лазерный пиролиз пленок КМОЛ на основе Си, 1, Рс1, Р1 и перспектива практического применения.

1.6. Заключение

Глава 2. Ювенильное фазообразование и кинетика процессов лазерного и соноэлектроосаждения металлов, соноэлектрохимической генерации водорода и соноочистки поверхности
2.1. Влияние лазерного излучения и ультразвука на электрохимические процессы. Физическая химия кавитации Краткий аналити
V ческий обзор литературных данных
2.2. Модуляция скорости реакций локального лазерного электроосаждения металлов топоэлектрохимическим эффектом и паровой кавитацией
2.3. Модуляция скорости реакций электроосаждения металлов в субмиллиметровых углублениях ультразвуковой кавитацией
2.4. Модуляция скорости электровосстановления водорода в каналах субмиллиметровых отверстий топоэлектрохимическим эффектом
и ультразвуковой кавитацией.
2.5. Теория ультразвуковой очистки поверхности
2.6. Методика эксперимента
2.7. Локальное лазерное электроосаждение металлов на катоды
2.8. Локальное соноэлектроосаждение Си в субмиллиметровых формообразующих углублениях А1 и матриц.
2.9. Соноэлектрохимическая генерация водорода в металлизированных каналах субмиллиметровых отверстий.
2 Ультразвуковое обезжиривание поверхности А1 и i
2 Заключение.
Глава 3. Ювенильное фазообразование и каталитический механизм
синтеза и органических соединений
3.1. Синтезы шестичленных селенсодержащих гетероциклических соединений с одним атомом селена. Краткий аналитический обзор литературных данных
3.2. Возможные механизмы активации 1,5дикетонов при синтезе тиоселенопиранов, катализируемом растворяющимися
в сильнокислой среде частицами полупроводниковых и
3.3. Методика эксперимента.
3.4. Реакции 1,5дикетонов с серо и селеноводородом i i, генерируемым частицами X, растворяющимися в сильнокислых неводных средах
3.5. Перспективы практического использования синтезированных , содерщащих гетероциклических соединений.
3.6. Заключение
Глава 4. Миграционный перенос в тканевых барьерах организма и
стимулированная антибиотиковая фармакокинетика.
4.1. Биологические мембраны и их электрохимические свойства. Антибиотиковая физиотерапия. Краткий аналитический обзор литературных данных
4.2. Модель рыхлого квазикристалла при описании стимулированного миграционного переноса в тканевых барьерах организма
4.3. Методика эксперимента.
4.4. Собственный и стимулированный перенос анионов левомицетина, бензилпенициллина и оксациллина через плацентарные мембраны
4.5. Смешанные синергетические эффекты.
4.6. Миграционнофармакокинетические аспекты оптимизации аппаратов антибиотиковой физиотерапии на смешанных полевых эффектах
4.7. Заключение
Глава 5. Миграционный твердофазный перенос протонов и кинетика химического растворения резорбции гидроксиапати га в модельных физиологических растворах
5.1. Синтез, физикохимические и биомедицинские свойства гидроксиапати га. Краткий аналитический обзор литературных данных
5.2. Механизм и кинетика химического растворения гидроксиапати
та в кислых растворах.
5.3. Методика эксперимента.
5.4. Результаты исследования механизма и кинетики химического растворения порошкового и плазмонапыленного гидроксиапатита в физиологическом растворе, моделирующем условия остеокластной биорезорбции i vi.
5.5. Результаты лабораторных испытаний iимплангатов с плазмонапыленными гидроксиапатитовыми покрытиями i viv
5.6. Заключение
Глава 6. Общие принципы полевого стимулирования физикохимических и биоэлектрохимических процессов, контролируемых ювенильным фазообразованием и миграцией.
Основные выводы
Список цитируемой литературы


В отличие от СиНСОО2 8 эти пленки устойчивы к УФсоставляющей естественного освещения, что делает их применение более практичным. Рис. X 1 2, 2 СиТРИС2Вг, 3 СиТРИС3Вг2, 4 СиТРИСгС1. Температуры изотерм и чем кого отжига I 8 К, 2 3 К, 3 3 К, К. Анализ термографических данных рис. Анализ кривых ДТА и ДТГ по методу Арнольда позволил вычислить энергии активации лимитирующих стадий, А. Изотермический отжиг рис. КрофееваАвраами 1п1п1а1пт. Из этих данных вычислялся кинетический формфактор п и аррениусовский предзкспоненциальный множитель В. Необходимые термохимические характеристики пленок СитГРИСпХк приведены в таблице 1см. На рис. Уа и скорости сканирования Уб. Величины г7г0 увеличиваются с Уа и уменьшаются с Уб по зависимостям, близким к прямолинейным, причем наибольшими значениями г го обладает комплекс СиГРИС с наиболее низкой пороговой температурой разложения Т и наименьшими значениями п А, В табл. Порядок размещения остальных кривых г7г0 У для комплексов СитТРИСпХк с ш 1, п 2 и к 1 при X , Вг, С1 скорее коррелирует с величинами п, А, В, чем с Т , которая для X Вг, С1 различается всего лишь на К табл. Комплекс СиТРИСзВг2 занимает особое положение изза иного молекулярного строения т 1, п 3, к 2. Усредненные по ширине линии меди нестационарные температуры лазерного нагрева Т рис. Т табл. Примечание 1. Мк молекулярная масса КМОЛ, ,1м массовое содержание металла в КМОЛ, рк плотность КМОЛ, То толщина пленки КМОЛ на подложке. Таблица 1. А 1,4 мкм. Т в ряду комплексов с ш 1, п 2, к 1 коррелирует с кинетическими параметрами п, А, В табл. Рис. Зависимости относительной полуширины гго линий медного осадка от интенсивности лазерного облучения XV при V 0, смс а и от скорости сканирования V при 6 кВтсм2 б, полученные при локальном лазернотермическом разложении пленок 1 СиТРИС2. СиТРИСзВг2Н,4 СиТРИС2С1 0,5Н2О на поликоре. Линейные скорости осаждения меди рис. V б, причем наименьшие значения дает хлоридный комплекс СиТРИС2С1, а кривые для остальных комплексов СитТРИСпХк при X Вг, располагаются в пучке и достаточно близки друг к другу. Динамический диапазон расчетных скоростей осаждения меди составляет от нмс для СиТРИС2С1 при 4,2 кВтсм2 и V 0, смс до ,3 мкмс для СиТРИСзВг2 при У ,5 кВтсм2 и V 0, смс, то есть составляет около трех порядков. Все линейные скорости осаждения меди, приведенные на рис. СитТРИСХк и рассматриваемые пиролитические процессы протекают в твердофазном топок и нети чес ком режиме. Согласно данным табл. А и В для топокинетического режима термического разложения СигДТРИСЭпХк мы имеем хорошо выраженный компенсаторный эффект с д1пВдА 0, молькДж. Действительно, расчет показывает, что при равных Т5 разница между энергиями активации разложения СиТРИС2С1 А 5 кДжмоль и СиТРИС2. В с1 для комплекса СиТРИС2 до В 3, 5 с1 для СиТРИС2С1. Рис. Зависимости среднерадиальной темпетатуры лазерного нагрева Т от интенсивности облучения при V 0. V при XV 6 кВтсм2 б. Остальное, как на рис. Рис. Зависисмость линейной среднерадиальной скорости осаждения меди от интенсивности лазерного облучения У при V 0, смс а и от скорости сканирования V при 6 кВтсм2 б. Остальное как на рис. Причина же коренного различия в скоростях осаждения при переходе от X 3 и X С1 заключается, повидимому, в изменении оптических характеристик границы АОзСитТРИСпХк, обеспечивающем сильное варьирование локального лазерного нагрева при изменении химической природы комплекса рис. Буггера. АСиТРИС окрашенной в яркосиний цвет должна быть значительно большей, чем зеленоголубой границы АОзСиТРИС2С1. Очевидно также, что нарастание энергии активации разложения СитТРИСпХк в ряду Х 3, Вг, С1 отвечает увеличению прочности связи СиX и повышению термической устойчивости комплекса. Предельно устойчивым, при этом, можно считать комплекс СитТРИСпХк с X С1, ш к 1 и п 0 СиС1, который согласно кипит без разложения при Тк К. V
Рис. К расчету предельной скорости сканирования линий меди при лазерном пиролизе СитТРИСпХк с 6 кВтсм2. Остальное как на рис. По данным рис. V1 I и неполного отжига при обратном соотношении между толщиной отожженного слоя и ,.