Сенсибилизация фототермографических материалов

• Автор: Горяев, Михаил Александрович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 247 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

1.1. Установки дня измерения электрофизических характеристик порошкообразных высокоомных образцов
1.2. Исследование оптического поглощения и спектральнолюминесцентных характеристик порошкообразных объектов

1.3. Измерение фотографических характеристик материалов ,

Выводы к главе 1

ГЛАВА 2. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЛОГЕНИДАХ

СЕРЕБРА

2.1. Электронные и ионные процессы нрн фотолизе галогснидов серебра

2.2. Статистическая модель первичных фотохимических процессов в АдНа1

2.3. Роль образования собственных дефектов АИа1 в фотографическом процессе
Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ
ФОТОЛИЗЕ ГИДРИДА АЛЮМИНИЯ
3.1. Физикохимические свойства А1Н3
3.2. Электрофизические свойства АШ3
3.3. Локальные состояния в А1Н3
3.4. Вакансионный механизм фотолиза А1Н3
3.5. Влияние электрического ноля на фотохимические процессы в А1Н3
Выводы к главе 3 2
.. л
П1ЛВЛ 4. ФОТОГ1РОЦЕССЫ В ГИДРИДЕ АЛЮМИНИЯ С
АДСОРБИРОВАННЫМ КРАСИТЕЛЕМ
4.1. Фотофизическле и фотохимические процессы в полупроводниках с адсорбированным красителем
4.2. Люминесценция красителей, адсорбированных на
4.3. Вторичные фотохимические процессы в 13
4.4. Сенсибилизация гидрида алюминия красителями
Выводы к птаве 4
ГЛАВА 5. СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ФОТОТЕРМОГРАФИЧЕСКИХ
МАТЕРИАЛОВ ФТМ НА СОЛЯХ СЕРЕБРА
5.1. Чувствительность серебряных ФТМ
5.2. Синтез термопроявляемых композиций на солях
серебра с регулируемой чувствительностью
5.3. Нсвзаимозамсспшость в ФТМ и формирование светочувствительности мри коротковремениых экспозициях
5.4. Световодный механизм спектральной сенсибилизации ФГМ
Выводы к главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


Обшая процедура изучения термостимулпрованной емкости ТСБ аналогична методике исследования ТСП. В работе при этом использовалась сэндвичячсйка, между электродами которой помешался исследуемый образец. Измерения ТСЕ проводились с помощью моста переменною тока Р8 по схеме, приведенной на рис. В силу тою, что емкость и проводимость исследуемых конденсаторов выходили за рамки диапазона измеряемых данным мостом величин, активную и реактивпую составляющую проводимости измерить одновременно нс представлялось возможным. Нами была сознательно исключена одна из составляющих путем шунтирования конденсатора. Рпс. Принципиальная схема измерения емкости с помощью моста переменного тока. Я и С магазины сопротивлений а емкостей, Г генератор звуковой ГЗ1, V вольтметр ламповый ВЗ, ИН индикатор Ф0. И, и С, эквивалентные сопротивление н емкость образца. И0 эталонное сопротивление, со частота переменною тока. Преобразуя 1. Я, 0 ШСХВЛ А . Тогда в последовательной схеме замещения активное сопротивление л 1. Можно подобрать параметры И0 о так, чтобы выполнялось условие Я0 и аРСК 1, тогда получим Лр. Ом, т. Ф и на частоте 5 Гц со2Сх2 5 1. Равенство 0 является экспериментальным критерием правомерности принятых упрощающих условий. В нашем случае это равенство достаточно хорошо соблюдалось. С ЩйРС, 1. Сх 1аРСЗД, 1. Определенная таким образом Сх хорошо совпадает с оценочным значением по формуле плоского конденсатора. Чувствительность установки для измерения емкости составляла Ф. Установка, схема которой представлена на рис. В качестве изображенного на схеме осветителя в этом случае применялся монохроматор МДР4. При построении спектров фотопроводимости величина фототока при каждой длине волны нормировалась на одинаковое количество падающей энергии, проходящей от лампы накаливания через монохроматор. Для определения энергетического распределения заполненных локальных состояний в запрещенной зоне был использован метод, разработанный И. А. Акимовым с сотрудниками , для полнкрнсталлических высокоомных полупроводников на основе измерения спектра нанесенного на поверхность слоя фотопроводннка электростатического заряда при его фоторазрядке . При этом спектр фоторазрядки заряда, нанесеннного в адектрофотографнческом режиме , измеряют с помощью набора срезающих светофильтров с резкой коротковолновой границей поглощения, которую последовательно сдвигают в сторону увеличения энергии ,. Исследовалис оптического поглощепия и спектрхгьнолюмвпесцептпых характеристик поропжообразпых объектов Порошкообразные системы являются сильно рассеивающими средами и для определения их оптических параметров применяются специфические методы исследования . Спектры поглощения в области 00 нм измерялись в диффузно отраженном свете на спектрофотометре или с помощью установки на основе монохроматора спектрофотометра СФ4 и приставки диффузного отражения ПДО1. А5 I 1. А и 5 константы поглощения и рассеяния слоя, Л коэффициент отражения. Определение истинных колнчестнсннных спектральнолюминесцентных характеристик и, в первую очередь, квантового выхода люминесценции порошкообразных объектов очень осложнено наличием сильного светорассеяния в слое и реабсорбписй. Экспериментально в большинстве случаев определяется так называемый технический выход . Д1. Ь коэффициент поглошения для возбуждающего света, К, и I, средние но спектру люминесценции значения коэффициентов отражения и поглощения слоя. Показано, что разница между этими величинами может быть значительной и для определения по измеренному значению величины истинного квантового выхода люминесценции слоя требуется знание различных параметров рассеяния и поглощения данного слоя. На практике измерение характеристик светорассеяния в каждом конкретном случае представляет собой сложную и весьма трудоемкую задачу так же, как и реальное измерение полных потоков отраженного света и света люминесценции. Для определения , истинных спектральнолюминесцентных характеристик нами был разработан метод измерения квантового выхода н спектров люминесценции порошкообразных систем, имеющих различные центры свечения .