Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
- Автор:
Фомина, Лариса Валерьевна
- Шифр специальности:
02.00.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Барнаул
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла», автор — Фомина, Лариса Валерьевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 02.00.04. Работа подготовлена в городе Барнаул в 2003 году. Объем работы: 180 с.. Внутренний код товара: 01003422967. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Закономерности удерживания цефалоспориновых антибиотиков в условиях высокоэффективной жидкостной хроматографии с обращенными фазами | Оксененко, Ольга Ивановна | 1999 |
| Физико-химические основы процесса разделения и утилизации отходящих кислых газов синтеза дихлорангидрида терефталевой кислоты | Чмых, Наталия Вячеславовна | 2002 |
| Кислотное разложение цеолитов Таджикистана | Баротов, Маруфжон Асадович | 2006 |