Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
- Автор:
Фомина, Лариса Валерьевна
- Шифр специальности:
02.00.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Барнаул
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Рентгенографическое исследование твердых растворов MH1-xMCx(MH=Re, Os; MC=Ir, Pt, Rh) и их предшественников | Корольков, Илья Викторович | 2007 |
| Квантовохимические модели в исследовании электронного строения и реакционной способности малых валентно-ненасыщенных молекул непереходных элементов | Боженко, Константин Викторович | 2000 |
| Первичные фотохимические процессы в 1,2-дигидрохинолинах : влияние структуры дигидрохинолина и состава среды | Лыго, Ольга Николаевна | 2011 |