Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла
- Автор:
Фомина, Лариса Валерьевна
- Шифр специальности:
02.00.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Барнаул
- Количество страниц:
180 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гидратация аминокислот и ионообменных мембран в аминокислотных формах и ее влияние на диффузионный транспорт | Зяблов, Александр Николаевич | 1999 |
| Получение сложных оксидов термическим разложением фосфорсодержащих ионитов и определение термодинамических характеристик процесса синтеза | Полещук, Ирина Николаевна | 2003 |
| Физико-химические процессы, стимулированные действием переменного магнитного поля в кристаллах азидов серебра и свинца | Дорохов, Михаил Александрович | 2005 |