Кристаллизация гетерофазных фотографических систем на основе галогенида серебра в процессе физического созревания

• Автор: Проценко, Антон Павлович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 103 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Общие сведения о микрокристаллах галогенидов серебра.

1.2. Основные процессы кристаллизации микрокристаллов АНа1

1.2.1. Зародышеобразование

1.2.2. Оствальдовское созревание и коалесценция.

1.2.3. Перекристаллизация.

1.3. Фоторафические материалы на основе галогенидов серебра

гетероконтактного типа

1.4. Гетерофазные структуры как основа современных фотографических материалов

1.5. Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий.

1.6. Особенности химической сенсибилизации гетероконтактных систем на основе галогенидов серебра
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Синтез фотографических мелкозернистых эмульсий методом контролируемой двухструйной кристаллизации
2.2. Синтез плоских микрокристаллов методом физического созревания
2.3. Синтез ПМК гетерофазного типа
2.3.1. ПМК с эпитаксиальными наростами
2.3.2. ПМК и xIx с латеральной оболочкой I
2.4. Химическая сенсибилизация
2.5. Сенситометрические испытания.
2.6. Оптическая микроскопия плоских МК .
2.7. Определение дисперсионных характеристик.
плоских МК методом ЭМС
2.7.1. Приготовление реплик ПЛОСКИХ МК
2.7.2. Напыление реплик ЛОСКИХ МК слоем углерода
2.7.3. Электронномикроскопическое исследование угольных реплик плоских МК i
2.7.4. Дисперсионный и гранулометрический анализ
2.8. Используемые реактивы
ГЛАВА 3. СИНТЕЗ МЕТОДОМ ФИЗИЧЕСКОГО СОЗРЕВАНИЯ ПМК АВг С ЗАДАННЫМИ ДИСПЕРСИОННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ
3.1. Постановка задачи
3.2. Влияние условий синтеза МЗЭ на дисперсионные характеристики
ПМК
ГЛАВА 4. ИЗУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ КОМПОЗИЦИОННЫХ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА
4.1. Постановка задачи
4.2. Синтез плоских микрокристаллов г с эпитаксами методом
физического созревания
4.3. Синтез гетероконтактных ПМК типа ядро оболочка и
микрокристаллов комбинированного типа методом физическогосозревания С.
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ИОДИД ИОНА НА РОСТ И ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПМК .xxЛ.
5.1. Постановка задачи
5.2. Влияние иодидиона на кристаллографические характеристики ПМК
.xIx.
5.3. Химическая сенсибилизация пмк .xIxI.I Г,МС
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


При использовании данного свойства гетероконтактных систем на практике можно получать фотографические материалы, обладающие более высокой светочувствительностью и более низким уровнем вуали по сравнению с материалами на основе гомофазных микрокристаллов. Поэтому данные фотографические системы в настоящее время широко используются в промышленности. Примерами гетероконтактных систем могут служить плоские микрокристаллы с эпитаксами АС1, плоские микрокристаллы АВг с латеральной оболочкой . Х1Х, плоские микрокристаллы с латеральной оболочкой . Ix и эпитаксами и плоские микрокристаллы АВг1х1х с латеральной оболочкой . I. Массовая кристаллизация гетероконтактных плоских микрокристаллов заданного размера, состава и габитуса является сложным технологическим процессом, не все стадии которого достаточно хорошо изучены. Поэтому дальнейшее исследование процесса кристаллизации гетероконтактных систем является актуальной задачей фотографической науки. Для синтеза гетероконтактных систем в промышленности используют метод контролируемой двухструйной кристаллизации КДК. Метод КДК позволяет синтезировать плоские микрокристаллы ПМК АНа1, но данным методом достаточно сложно получить ПМК с высокой однородностью по размеру 2. В настоящее время большой научный интерес имеют работы по изучению возможности получения однородных ПМК АНа1 методом физического созревания мелкозернистой эмульсии МЗЭ. Основными работами по изучению роста ПМК методом физического созревания являются работы Сайтоу, Урабе, Сато, Кагакина, Ларичева. Данный метод получения микрокристаллов галогенида серебра обладает рядом преимуществ перед методом контролируемой двухструйной кристаллизации. Главное преимущество метода физического созревания заключается в том, что с его помощью можно получать однородные фотографические эмульсии, содержащие ПМК АВг с Су 3 и имеющие коэффициент кристаллографической однородности . Изучение процесса кристаллизации микрокристаллов методом физического созревания является одной из важных задач современной фотографической науки. Синтез фотографических эмульсий методом физического созревания и использование гетероконтактных систем в качестве основы для производства фотографических материаловч являются очень важными составляющими производства перспективных фотографических материалов. Использование метода физического созревания для создание гетероконтактных систем может привести к получению фотографических систем на основе микрокристаллов галогенида серебра гетероконтактного типа, обладающих низким коэффициентом распределения по размерам не более , высокой кристаллографической однородностью не менее и высокими значениями светочувствительности. Настоящая работа является составной частью комплексных исследований фотографических эмульсий и посвящена изучению кристаллизации плоских микрокристаллов галогенида серебра гетерофазного типа методом физического созревания и изучению фотографических свойств систем на основе гетероконтактных микрокристаллов Аа1. Исследовать кристаллизацию фотографических систем на основе плоских микрокристаллов АВг с эпитаксами , микрокристаллов с латеральной оболочкой АВг1х1х и микрокристаллов с латеральной оболочкой АВг. Изучить влияние иодид иона на кристаллографические свойства плоских микрокристаллов АВгьх1х, синтезированных в процессе физического созревания. АВг с эпитаксами микрокристаллов АВг с латеральной оболочкой . Ix и эпитаксами микрокристаллов . Ix с латеральной оболочкой г. Методом электронной микроскопии определены различия в месторасположении эпитаксов хлорида серебра на ядре бромида серебра, синтезированного методом физического созревания, от месторасположения эпитаксов на субстрате, синтезированном методом контролируемой двухструйной кристаллизации. Показано, что эффективность роста эпитаксов на плоских микрокристаллах 4 зависит от размера ядра . Исследован процесс химической сенсибилизации плоских микрокристаллов . Ix с латеральной оболочкой 1. Iv, синтезированных методом физического созревания, с различным содержанием иодидиона в ядре 1. Ix.