Синтез и физико-химия поверхности твердых растворов системы ZnTe-CdTe

• Автор: Мурашко, Юрий Александрович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Омск
• Количество страниц: 132 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Объмные свойства гпТе, СбТе и их тврдых растворов

1.2. Термодинамические характеристики

1.3. Химические свойства компонентов системы 2пТеСс1Те

1.4. Физические и электрофизические свойства

1.5. Поверхностные свойства бинарных компонентов системы

1.6. Методы получения тврдых растворов 2пхСб.хТе

1.7. Методы исследования кислотноосновных свойств поверхности тврдых адсорбентов

Глава 2. Методика эксперимента

2.1. Исследуемые объекты и их получение
2.2. Способы идентификации тврдых растворов
2.3. Исследования физикохимических свойств поверхности компонентов системы 7пТеСбТе
2.4. Адсорбционнодесорбционные исследования поверхности компонентов системы 2пТеС1Те
Глава 3. Результаты эксперимента
3.1. Идентификация тврдых растворов
3.2. Исследования структуры и измерение удельной поверхности
3.3. Тсрмодесорбция атмосферных газов с поверхности компонентов системы 2пТеСТе
3.4. Исследования поверхности тврдых растворов ХпСбТе методом РФЭС после различных способов е обработки
3.5. Адсорбционнодесорбционные исследования свойств поверхности компонентов системы 2пТеСбТе по отношению к СС2, Н и ЫН3
3.6. Исследования электрофизических свойств поверхности компонентов системы 2пТеСс1Те при адсорбции газов
Глава 4. Обсуждение результатов
4.1. Состояние реальной поверхности компонентов системы 2пТеСбТе
4.2. Природа активных центров поверхности и механизм адсорбционного взаимодействия с молекулами газов
4.3. Электрофизические свойства поверхности компонентов системы гпТеСбТе .
4.4. Кислотноосновные свойства поверхности системы 2пТеСс1Те
Выводы
Список литературы


Взаимосвязь основных опытных зависимостей кислотноосновных, адсорбционных и электронных свойств как результат единой природы активных центров и поверхностных состояний. Диаграммы состояния свойствосостав и способ прогнозирования адсорбционных свойств и поверхностной чувствительности компонентов системы типа А1ВУ1АПВУ к различным по природе газам и возможности создания эффективных материалов для их анализа. Рекомендации по созданию на основе полученных новых материалов активных и селективных сенсоровдатчиков. Результаты испытания созданных сенсоровдатчиков на микропримеси С и ЫН3. Модернизирована технология получения твердых растворов 2пхСб. Тс в форме порошков и плнок. Найдены оптимальные условия и режимы синтеза, обеспечивающие минимальный разброс параметров рештки. Установлен температурный режим вакуумной обработки образцов тврдых растворов 2пхСб. Те без нарушения стехиометрии их поверхности. На основе анализа диаграмм физическое или физикохимическое свойствосостав предложен способ прогнозирования поверхностной чувствительности компонентов системы 7пТеСс1Те и ей подобных. Создан новый материал тврдый раствор состава 2щ,Сб09Те с повышенной адсорбционной активностью по отношению к диоксиду углерода. С использованием данного материала в качестве первичного преобразователя предложен и испытан сенсордатчик на микропримеси ССЬ. Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на III Международной научнотехнической конференции Динамика систем, механизмов и машин, Омск, IV Международной научнотехнической конференции Динамика систем, механизмов и машин, Омск, ХЬ и ХЫ Международной научной студенческой конференции Студент и научнотехнический прогресс, Химия, Новосибирск НГУ, и г V Международной научнотехнической конференции Динамика систем, механизмов и машин, Омск, VII Конференции Аналитика Сибири и Дальнего Востока, Новосибирск, V Международной конференции Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности, М. Машиностроение1, . Результаты проведенных исследований опубликованы в работах. Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырх глав, выводов и списка литературы. Теллуриды цинка и кадмия типичные представители семейства прямозонных полупроводников А2В6. Широкое практическое применение чистых и СсГГе в различных отраслях микроэлектроники обусловлено их уникальными природными свойствами. Они надежно зарекомендовали себя как материалы для создания инфракрасной, радиационной и лазерной техники, элементной базы фото и люминесцентной электроники. Входящие в состав бинарных полупроводников элементы имеют близкие значения основных атомных, кристаллохимических и химических свойств, что позволяет получать их тврдые растворы практически любого состава. В свою очередь способность этих материалов образовывать непрерывный ряд тврдых растворов ещ больше расширяет область их применения. Плавное изменение основных физикохимических характеристик тврдого раствора при варьировании его состава позволяет создавать на его основе фотопримники и детекторы излучений в широком диапазоне частот. Так, например, с использованием Сс1пхТе уже созданы высокоэффективные фотопримники в инфракрасной области и детекторы для регистрации гаммаизлучения, обоснована возможность создания эффективных катализаторов и датчиков газового анализа. Большая заслуга в изучении данного класса полупроводниковых материалов и прогнозировании свойств их тврдых растворов принадлежит школе И. А.Кировской. Интенсивное исследование этой группы алмазоподобных полупроводников и их тврдых растворов началось достаточно давно, поэтому их объмные свойства изучены довольно подробно. В отличии от элементов, являющихся относительно легкоплавкими, теллуриды цинка и кадмия имеют высокие температуры плавления, определить которые с достаточной точностью долгое время не удавалось. Наибольшей точности измерения температуры плавления такого рода полупроводников удалось добиться И. Б.Мизецкой с сотрудниками . Значения температур плавления и другие термодинамические характеристики и СсТе представлены в табл.