Особенности сенсибилизации гетероконтактных бромоиодидных пластинчатых микрокристаллов с различным распределением Agl

• Автор: Афонькина, Юлия Николаевна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 178 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРОЦЕССАХ

ХИМИЧЕСКОЙ И СПЕКТРАЛЬНОЙ СЕНСИБИЛИЗАЦИИ 1

1.1. Химическая сенсибилизация

1.1.1. Типы химической сенсибилизации

1.1.1.1. Восстановительная химическая сенсибилизация

1.1.1.2. Сернистая химическая сенсибилизация

1.1.1.3. Золотая химическая сенсибилизация.

1.1.1.4. Сернисто золотая химическая сенсибилизация.

1.2. Спектральная сенсибилизация галогенидов серебра.
1.2.1. Спектральные сенсибилизаторы
1.2.2. Спектральные свойства красителей сенсибилизаторов.
1.2.3. Адсорбция красителей на поверхности микрокристаллов Аа1.
1.2.4. Влияние среды на адсорбцию красителей.
1.2.4.1. Влияние желатины.
1.2.4.2. Влияние
1.2.4.3. Влияние .
1.2.4.4. Влияние растворенных веществ.
1.2.4.5. Влияние свойств красителей на адсорбцию
1.2.5. Механизмы спектральной сенсибилизации.
1.2.6. Эффективность спектральной сенсибилизации.
1.2.7. Десенсибилизация галогенидов серебра красителями
1.2.8. Процессы самодесенсибилизации красителей
1.3. Процессы суперсенсибилизации.
1.3.1. Основные механизмы суперсенсибилизации
1.4. Сенсибилизация красителями пластинчатых микрокристаллов
1.5. Взаимовлияние процессов химической и спектральной сенсибилизаций
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Синтез галогенидосеребряных дисперсий.
2.2. Электронная микроскопия и дисперсионный анализ
2.3. Химическая сенсибилизация.
2.4. Спектральная сенсибилизация и суперсенсибилизация.
2.5. Сенситометрические испытания
2.6. Химические вещества и используемые реактивы. у
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЙ СЕНСИБИЛИЗА ЦИИ ГЕТЕРОКОНТАКТНЫХ ПМК V
3.1. Химическая сенсибилизация гетероконтактных ПМК сложного строения
3.2. Химическая сенсибилизация изометрических гетероконтактных МК сложного строения.
3.3. Химическая сенсибилизация МК , АВг1 и I с равномерным распределением иодид ионов
3.3.1. Химическая сенсибилизация кубических МК и I
3.3.2. Химическая сенсибилизация ПМК и I.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ СЕНСИБИЛИЗА
ЦИИ ГЕТЕРОКОНТАКТНЫХ ПМК I
4.1. Исследование эффективности спектральной сенсибилизации МК различного галогенидного состава и габитуса
4.2. Взаимное влияние условий химической и спектральной сенсибилизаций кубических МК и I на их фотографические свойства
4.2.1. Исследование спектров отражения красителей, адсорбированных
на поверхности кубических МК
4.3. Спектральная сенсибилизация ПМК
4.4. Суперсенсибилизация ПМК
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ


Таким образом, один поглощенный квант света создает в зоне проводимости два электрона один фотогенерированный, а второй термолизованный, что приводит к росту светочувствительности. Различия в поведении центров восстановительной сенсибилизации связывают с различием их зарядов, зависящим от размера частиц 0 и местах их локализации в МК . Более крупные центры, вероятно, заряжены положительно 5, а мелкие являются нейтральными, либо даже заряжены отрицательно см. Рис. Образование электроно или дырочноакцепторных центров при ХС зависит как от типа дисперсии размера, огранки МК, так и от способа ХС. Слабая ХС с помощью восстановителей БпСЬ или Н2 создает акцепторы р, а слабое серебряное созревание акцепторы сильная ХС восстановителями создает оба вида акцепторов. Сернистой сенсибилизацией Б сенсибилизацией называется увеличение светочувствительности дисперсий во время ХС в присутствии веществ, содержащих лабильную серу, в частности тиосульфата натрия, тиомочевины, тиазинамина, политионатов, сульфита натрия, объединяемых названием сернистые сенсибилизаторы 7. Уже С. Шеппард предположил 1, что образующиеся при 8 сенсибилизации центры состоят из 2. Механизм и скорость образования 2 зависят от многих факторов, включая тип сернистых сенсибилизаторов и огранку эмульсионных МК. До настоящего времени он все еще не имеет всестороннего объяснения. Процесс образования сульфида серебра при взаимодействии с тиосульфатом многостадиен . МК . Наиболее часто для интерпретации данных используют последовательность реакций, предложенную Шато и Пурдье 4. Разложение тиосульфат иона проходит через стадию образования комплексного иона з на по
верхности МК . Адсорбция БгОз ионов на МК идет очень быстро. Сначала они адсорбируются на дефектных местах кристаллов, а при больших концентрациях идет адсорбция на плоскостях кристаллов. ЭЛ2 А А8адс, 1. Кр н 2 Н, 1. МК дисперсии . Центр 2 является ловушкой на поверхности МК АНа1. Центр 2 неспособен, поймать , но он является растущим центром сульфидного кластера. Уже димер сульфида серебра 42 может поймать в ловушку , так как имеет 1,0 эВ выше дна зоны проводимости . Поэтому, чувствительность фотографического материала может быть увеличена только благодаря димерам сульфида серебра , . Аг8 на основе уравнения Смолуховского и сделал вывод о том, что центры в сенсибилизации это димеры сульфида серебра, которых по меньшей мере штукмкм . Люминесцентные исследования ряда авторов привели к заключению, что центры 8 сенсибилизации имеют состав 2 , . Этот факт подтверждается и в работах , , в которых показано, что при проведении 8 сенсибилизации образуются как серебряные, так и смешанные кластеры 2. Таким образом, очевидна многообразная роль продукта 8 сенсибилизации, который может захватывать электроны и дырки, уменьшая рекомбинацию фотозарядов, стабилизировать атомы фотолитического серебра и ускорять 8 сенсибилизацию. Кроме того, 8 сенсибилизация сопровождается уменьшением электронной фотопроводимости кристаллов . Согласно данным Келлога, время жизни электронов по мере продолжения 8 сенсибилизации уменьшается, т. Электроноакцепторные свойства 2 центров связывают с наличием положительного заряда в результате адсорбции А 2 2. Положительно заряженные ПЦ создают внутреннее электрическое поле в эмульсионном МК, и этим можно объяснить высокую чувствительность эмульсионных МК с 8 сенсибилизацией. С другой стороны, положительный заряд 2 центров должен отталкивать от ПЦ положительные дырки и тем самым уменьшается вероятность электрон дырочной рекомбинации. Наконец, нужно учитывать, что ПЦ ослабляет силовое поле решетки. Это приводит к увеличению потенциала ионизации атомов фотолитического серебра, образующихся при засветке МК . Потенциал ионизации 0 внутри кристаллической решетки , благодаря поляризующему действию последней, значительно меньше, чем для атомов в вакууме. Он составляет всего несколько сотых долей электронВольта. На поверхности МК, и в особенности у ПЦ, потенциал ионизации увеличивается благодаря ослаблению поляризующего поля решетки. Это стабилизирует серебряные атомы.