Глубокая очистка оксида диазота

• Автор: Смирнов, Константин Юрьевич
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 132 с. : ил.

Оглавление
Введение.

Глава 1. Литературный обзор

1.1 Применение оксида диазота

1.2. Генезис примесей и методы получения оксида диазота

1.3.Физикохимические методы глубокой очистки оксида диазота.

Глава 2. Экспериментальная часть

2.1. Методика определения эффективного коэффициента разделения жидкостьпар для системы оксид диазота примесь в статических и динамических условиях.

2.2 Методика анализа оксида диазота

2.3 Методика эксперимента по определению проницаемости и селективности коэффициента разделения исследуемых газов через полимерные мембраны

2.3.1 Методика определения коэффициента разделения

2.4 Методика определения эффективности процесса низкотемпературной фильтрации оксида диазота
Глава 3. Результаты и обсуждения.
3.1 Расчет коэффициента разделения жидкость пар.
Определение коэффициента разделения жидкостьпар в динамических и статических условиях
3.2 Определение проницаемости исследуемых газов через мембрану Лестосил и расчет идеал,ной селективности
3.3 Определение коэффициента разделения смеси оксид диазота азот на одном мембранном элементе
3.4 Расчет эффективности очистки оксида диазота от воды методом низкотемпературной фильтрацией.
3.5 Глубокая очистка оксида диазота с использованием
однокомпрессорного многоступенчатого мембранного аппарата.
3.6 Глубокая очистка оксида диазота па мембранном
модуле с питающим резервуаром.
3.7 Глубокая очистка оксида диазота методом низкотемпературной фильтрации
3.8 Технология получения высокочистого оксида диазота.
Выводы.
Список литературы


НИР в рамках Федеральной Целевой Программы Научные и педагогические кадры инновационной России Г5, П, и 7 и государственных контрактов с Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научнотехнической сфере по программе У. М.Н. И.К. ГЛАВА 1. При изготовлении изделий электронной техники, таких как дискретные приборы и интегральные микросхемы, используются различные диэлектрические пленки, выполняющие функции маскирующих, пассивирующих или изолирующих слоев, а также необходимых конструктивных элементов в составе полупроводникового изделия. К свойствам таких пленок предъявляются требования по электрической изоляции, высокой стойкости к действию внешних агрессивных сред, минимальной пористости. В настоящее время наиболее широкое применение в полупроводниковой технологии получили, удовлетворяющие этим требованиям, диэлектрики диоксид и нитрид кремния БЮг, 3К, 6. Пленки 5Ю2 и 5ЫЧ4 могут использоваться в качестве маскирующих, пассивирующих, изолирующих и конструктивных покрытий и элементов. Самый распространенный в планарной технологии метод получение пленок метод термического окисления кремния. В качестве окислителя может использоваться сухой кислород или пары воды, однако высокотемпературное окисление дает продукцию невысокого качества . Известен метод пиролитического осаждения слоев диоксида и нитрида кремнияб, используемый для получения толстых диэлектрических слоев. Этот процесс обеспечивает высокую однородность слоев, качественное покрытие неровностей рельефа и металлизации, но имеет более высокую пористость по сравнению с термическими слоями. СБИС и больших интегральных схем БИС. В качестве рабочих газов при ПХО используют соединения кремния и окислитель. В качестве источника кремния широко используются гидриды кремния моносилан дисилан 8ьН6 дихлорсилан Н2С 6 В качестве окислителя используется кислород , а также кислородсодержащие соединения, например, оксид диазота К 6. Использование в качестве окислителя оксида диазота позволяет практически исключить гомогенное окисление, которое засоряет реакционную камеру и ухудшает качество образующейся пленки. От всех этих недостатков свободны процессы получения слоев окисла из моиосилана, дисилана и дихлорсилана с использованием в качестве окислителя оксида диазота. ИС при формировании изолирующих пленок становится все более актуальной. ИС по сравнению с пленками, полученных при СТО2. Поэтому в настоящее время все большее применение находит смесь ЗШ И, при использовании которой возможно получение слоев, состав которых можно непрерывно менять ОТ йЮо до , за счет изменения соотношения объемных потоков 8ПМ 2, . Формирование слоев путем окисления моносилана оксидом диазота протекает по сложному многостадийному маршруту. Электрические свойства пленок полуизолирующего кремния зависят от их структуры и содержания в них кислорода . В работе 2 предложены возможные механизмы протекания процесса осаждения слоев в системе Н4 при соотношении объемных потоков, один к десяти, в интервале температур осаждения . К и при давлении в реакторе 0 Па. В процессе использовались газы электронного класса чистоты. Осаждение слоев диоксида кремния в системе Н4М осуществлялось в промышленном горизонтальном реакторе пониженного давления Карат с горячими стенками. В условиях избытка оксида диазота процесс осаждения инициируется разложением оксида диазота. При этом разложение И начинает происходить не на активных центрах БГ, характерных для роста слоев поликристаллического легированного кремния ГЖЛК, а на непарамагнитных центрах, соответствующих напряженным связям 0. Па при ГОС. К, а при меньших величинах давления происходило непосредственно осаждение пленки. Таким образом, при соотношении объемных потоков один к пятидесяти сохраняется вероятность гомогенного окисления i при увеличении суммарного давления сверх определенной величины. Н2г осаждение i 1. I3ii3. Кроме того, образующиеся радикалы и 3ii3 могут доокисляться в газовой фазе или диффундировать к поверхности, встраиваясь в нее, и в дальнейшем доокисляются там до i.