Получение и адсорбционно-каталитические свойства системы ZnSe-CdTe

• Автор: Подгорный, Станислав Олегович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Омск
• Количество страниц: 202 с. : ил.

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1.Объемные свойства соединений АИВУ

1.1.1. Кристаллическая структу ра.

1.1.2. Термодинамические характеристики.

1.1.3. Физические характеристики

1.1.4. Химическая связь.

1.1.5. Химические свойства

1.2. Поверхностные свойства соединений АПВУ

1.2.1. Химическое состояние, кислотноосновные свойства поверхности.

1.2.2. Адсорбционные свойства.

1.2.3. Каталитические свойства
1.3. Твердые растворы систем АПВУ1АПВУ
1.3.1. Методы получения твердых растворов систем АПВ АПВИ
1.3.2. Известные сведения о твердых растворах систем АПВ АИВУ1. Их отдельные представители
1.3.3. Система Хп8еСс1Те.
1.3.3.1. Диаграмма состояния системы гп8еСсТе.
1.3.3.2. Методы получения твердых растворов системы 2п8еСТе.
1.3.3.3. Объемные свойства твердых растворов гп8ехСсТе1.ч
1.3.3.4. Поверхностные свойства твердых растворов 2п8ехСс1Те,.х.
1.4. Газовый анализ на алмазоподобных полупроводниках.
Глава 2. Экспериментальная часть
2.1. Исследуемые объекты и их получение.
2.1.1. Получение твердых растворов 2п8ехСс1Те1х в форме порошков.
2.1.2. Получение наноразмерных пленок.
2.1.3. Идентификация твердых растворов системы 2п8еС1Те.
2.2. Исследование состава поверхности компонентов системы 2п8есГГе методом ИКспектроскопии МНПВО.
2.3. Исследование кислотноосновных свойств поверхности компонентов системы 2п8еСс1Те.
2.3.1. Определение рНизоэлектрического состояния
2.3.2. Механохимические исследования.
2.4. Исследование адсорбционных свойств компонентов системы
7п8еСс1Те.
2.4.1. Общая характеристика адсорбентов
2.4.2. Выбор иполучение адсорбатов
2.4.3. Адсорбционные исследования.
2.5. Электрофизические исследования
2.6. Исследование поверхности адсорбентов методом атомносиловой микроскопии
2.7. Исследование каталитических свойств компонентов системы
2п8еСс1Те в реакции окисления оксида углерода II
Глава 3. Результаты эксперимента и их обсуждение.
3.1. Идентификация твердых растворов системы 7п8еСс1Те
3.2. Исследование поверхности адсорбентов методом атомносиловой микроскопии
3.3. Исследование состава поверхности компонентов системы 7п8еСс1Те методом ИКспектроскопии МПВО
3.4. Кислотноосновные свойства поверхности компонентов системы гп8еС1Те.
3.4.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности
3.4.2. Механохимические исследования.
3.5. Адсорбционные свойства компонентов системы 7п8еСс1Те.
3.5.1. Адсорбция оксида углерода И.
3.5.2. Адсорбция кислорода
3.5.3. Адсорбция смесей газов СОО2.
3.5.4. Исследование адсорбции методом ИКспектроекопии МНПВО
3.5.5. Электрофизические исследования адсорбции.
3.6. Каталитические свойства компонентов системы в реакции окисления оксида углерода II
3.7. Закономерности изменения исследованных адсорбционных, каталитических и электронных процессов в зависимости от внешних условий и состава системы . Взаимосвязь между изученными поверхностными явлениями
3.8. Роль габитуса и размерных эффектов.
3.9. Практические рекомендации на основе выполненных исследований. Низкотемпературные катализаторы. Полупроводниковые сенсорыдатчики на
микропримеси оксида углерода II
Список литературы.
Введение
Актуальность


В то время как для тсллурида кадмия при нормальных условиях устойчивой является структура сфалерита . Образование вюрцитной модификации СсГГе установлено только у пленок . Длительное наблюдение в течение четырех лет показало, что в монокристаллических образцах СсГГе происходит постепенное превращение метастабильной гексагональной плотноупакованной структуры в кубическую гранецентрированную. Превращение протекает через промежуточную ромбоэдрическую структуру . Такой разброс значений, повидимому, вызван присутствием в кристаллах примесей и природных несовершенств, которые в большинстве случаев нельзя уточнить на основе имеющихся сведении. Величины основных параметров кристаллических решеток и СсГГс сведены в табл. А в гексагональных кристаллах СТе наблюдается система линий, соответствующая слойной упаковке тип Н . Большинство соединений типа АПВУ1 под влиянием давления испытывают превращения и могут переходить в одну или несколько различных фаз . При повышении давления переходит в структуру типа СьС1, а СсГГе в структуры типа ЫаС1 , и аЬБ . При дальнейшем повышении давления в СТе был обнаружен еще один переход в структуру типа белого олова ,. Эта фаза обладает металлическими свойствами и имеет тетрагональную элементарную ячейку с параметрами решетки ао5,8бА и са2,А . Фазы со структурой типа ЫаС1, устойчивые при высоком давлении, являются полупроводниками . Независимо от того, имеет ли исходный материал структуру сфалерита или вюрцита, при обратном переходе к атмосферному давлению сохраняегся структура цинковой обманки ,. Давление, при котором происходит фазовый переход и кристаллическая структура и СбТс при высоком давлении, приводятся в табл. В работе получены данные, указывающие на существование равновесных полиморфных модификаций в системе СТе, отличных от структуры сфалерита при высокой температуре выше К. Одна из них имеет структуру вюрцита. Авторами работы по данным ДТА установлен фазовый переход в селениде цинка при температуре С. Важная особенность строения цинковой обманки отсутствие центра симметрии или инверсии ,. Слои Б или тетраэдры 2п ориентированы вдоль направления 1, вследствие чего кристаллы цинковой обманки являются полярными и проявляют пьезоэлектрические свойства. Кристаллы со структурой вюрцита не имеют центра симметрии, вследствие чего в них присутствует полярная ось, параллельная направлению . Наряду с пьезоэлектрическими, кристаллы данной модификации проявляют пироэлектрические свойства . Соединения АПВУ образованы элементами, которые относятся ко второй и шестой группам периодической таблицы. Цинк и кадмий входят во вторую группу, в то время как селен и теллур в шестую группу. Все указанные элементы являются относительно легкоплавкими. В табл. В отличие от элементов А, ВУ, соединения А,ВУ относительно тугоплавки и обладают значительно меньшими давлениями паров. СсГГе представлены в табл. В работе предложена корреляционная зависимость энтальпий образования Дг Н8 К халькогенидов II бподгруппы от температур плавления Тпл промежуточных фаз. Вычисленные значения энтальпий образования фаз АПВУ1 совпадают с экспериментальными данными в пределах погрешностей определения, за исключением СбБе. Символы в скобках обозначают фазовое состояние. Существование молекул ММ г в газовой фазе полностью не исключается, но полученные данные указывают на то обстоятельство, что газовая фаза состоит из молекул и атомов компонентов . Так, согласно , пары соединений АНВУ1 содержат одну недиссоциированную молекулу на атомов. Давление пара соединений АИВУ1 зависит от молекулярного состава пара отдельных элементов, образующихся при диссоциации соответствующих халькогенидов. Цинк и кадмий в парах всегда моноатомны , . По данным до К в парах теллур образует практически только двухатомные молекулы. В работе указывается на возможность существования теллура в виде Те наряду с Тег. Состав пара селена сложен. Так, согласно данным селен существует в форме Бе, 8е2 и 8е6. По данным в том диапазоне температур, для которых измерено давление пара селенидов цинка, устойчивы лишь двухатомные молекулы.