Взаимодействие халькогенидов цинка и кадмия с халькогенидами висмута

• Автор: Маругин, Владимир Владиславович
• Шифр специальности: 02.00.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 133 c. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1. Физикохимические свойства гп ,ся ,вп ,

ВБ ,Бе , Те

2. Селениды и теллуриды цинка, кадмия и висмута.

Физикохимические свойства

3. Взаимодействие в тройных системах Ъп ВБЭе,

сягп Во. те. Тройная взаимная система

СйЗе3ВТе3 Сс1Те3ВЗе3

4. Электрофизические свойства зпэе , гпТе , сяэе ,

5. Электрофизические свойства ВБ2Зе3, ВБе3 , твердых растворов ВБ2ЗехТе3х и влияние на них легирующих примесей
Глава II. ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
1. Задачи исследования .
2. Приготовление образцов
3. Методы исследования
Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ СИСТЕМ гп ВБ Бе , гп ВБ Те ,
СЯ ВБ Те .
1. Исследование системы гпВБЗе .
2. Исследование системы гпВБТе .
3. Исследование системы сяВБТе .
4. Обсуждение результатов и выводы
Стр.
Глава У. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРОЙНОЙ ВЗАИМНОЙ СИСТЕМЫ
С4Бе3ВТе3 С4Те3В2Зе3.
1. Выявление устойчивых разрезов в тройной взаимной системе.
2. Поиск четверных фаз в тройной взаимной
системе.
3. Поверхность ликвидуса тройной взаимной
системы.
4. Изотермическое сечение тройной взаимной
системы.
Глава У. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕШОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДЫХ
РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА В СИСТЕМАХ Ъп В1 Те, Сй В1 Те,
Се3Вз.2Те3 л саТеВЗЗе.
1. Термоэлектрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута в системе
йпТе ВТе3
2. Термоэлектрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута в системе
. Вл.2Те3 .
3. Термоэлектрические свойства сплавов в псевдо
тройной системе СйЗе ВЗе3 Вд.2Те3 .
4. Термоэлектрические свойства легированных оловом
твердых растворов на основе вдТе
в системе С4Те ВТе3 .
5. Обсуждение результатов и выводы 3 .
ОБЩЕ ВЫВОда.
ЛИТЕРАТУРА


Выявление устойчивых разрезов в тройной взаимной системе. Глава У. Се3Вз. Те3 л саТеВЗЗе. Вл. Те3 . СйЗе ВЗе3 Вд. Те3 . С4Те ВТе3 . Обсуждение результатов и выводы 3 . ОБЩЕ ВЫВОда. ЛИТЕРАТУРА . В связи с быстрым развитием различных областей полупроводникового материаловедения соединения А В,У1 Вдприобрели исключительно важное значение. Селениды и теллуриды цинка и кадмия широко используются в оптоэлектронике и лазерной технике 15. Решение задачи получения полупроводниковых соединений с заданными свойствами неразрывно связано с планомерным физикохимическим изучением систем, образованных соответствующими элементами. Таким образом, цель настоящей работы, состоящая в исследовании систем Ъп В1 Эе , Ъп В1 Те , С1 В1 Те , САЗе3ВТе3Сс1Те3ВЗе2 несомненно является актуальной. На термоэлектрическую добротность соединений со структурой тетрадимита В3е3 , вТе3 , Вл. Зехте3х сильно влияют малые добавки халькогенидов элементов ИВ группы при этом возможность направленного легирования во многом зависит от установления характера образования твердых растворов. В настоящей работе впервые изучены термоэлектрические свойства образцов на основе соединений со структурой тетрадимита. Показана перспективность синтеза более сложных, в сравнении с бинарными, сплавов на основе халькогенидов висмута при разработке новых материалов для полупроводниковых термоэлектрических преобразователей. Практическая ценность установленных закономерностей подтверждена получением образцов с повышенными значениями термоэлектрической добротности. Исследование выполнялось в соответствии с координационным планом научноисследовательских работ по направлению Синтез полупроводниковых материалов с заданными свойствами, Государственной регистрации п. НИР АН СССР. Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. В литературном обзоре обобщены сведения по физикохимическим свойствам элементарных веществ компонентам тройных систем и халькогенидов пинка, кадмия и висмута. Рассмотрено взаимодействие в бинарных составляющих тройных систем, тройной взаимной системы, а также в тройных системах. Выявлены некоторые закономерности влияния примесей на термоэлектрические свойства халькогенидов висмута. Физикохимические свойства Ип . В1, Эп, Бе, Те. Некоторые физикохимические свойства цинка, кадмия, висмута, олова, селена и теллура приведены в табл. Селениды и теллуриды цинка, кадмия и висмута. Физикохимические свойства. Сведения о ТХ фазовых диаграммах систем гп X , саХ, ВЗ. Х Х Эе , ге систематизированы в монографиях . Таблица I. Физикохимические свойства гп, са. Бп, В, Бе, те. Сингония тетрагон кубическ. Параметры кристаллич. Атомный объем см3г. Коэфф. Таблица I продолжение. Физикохимические свойства гп , с1 , Бп , В1 , Бе , те . Параметры кристал. Атомный объем см3г. Коэфф. Система гпБе . В системе гпБе существует одно конгруэнтно плавящееся соединение ЯпЗе температура плавления его С . Полностью ТХ проекция РТХ диаграммы состоящий в дальнейшем будем пользоваться термином ТХ фазовая диаграммасистемы Ъп Бе не построена изучена лишь часть линии ликвидуса рис. Предполагается, что характер взаимодействия в системе ъп Эе сходен с таковым в системе гп Те Д9. Система гд те. По данным авторов , в системе имеется одно соединение гпТе , плавящееся конгруэнтно при температуре С и образующееся выровденные эвтектики со своими компонентами рис. I ъ. По данным температура плавления йпТе С. Авторы считают, что теллурид цинка с теллуром образует эвтектику 72С, а с цинком перитектику 22С. Горизонтальный участок на кривой ликвидуса со стороны йп от стехиометрического состава связывается с возможностью расслаивания в жидкой фазе . Экспериментальные данные по давлению пара позволили авторам сделать вывод о том, что область гомогенности гпХе не превышает 0,2 ат. Кривая солидуса для соединения йпте , рассчитанная авторами, имеет ретроградный характер и смещена в сторону избытка теллура рис. Система С4 Бе . Эе существует одно конгруэнтно плавящееся соединение сйБе рис. Рис. ТХ фазовые диаграммы систем а БпБе, ь гп1е. Рис. ТХ Тазовые диаграммы систем а саэе, Ъ С1Те.