Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях | Кириллова, Светлана Ильинична | 1984 |
| Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах | Березовец, Вячеслав Анатольевич | 1984 |
| Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия | Свиридовский, Лев Савельевич | 1984 |