Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5 | Турищев, Сергей Юрьевич | 2004 |
| Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов | Поддубный, Александр Никитич | 2010 |
| Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием | Яковлев, Георгий Евгеньевич | 2018 |