Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках», автор — Барышников Кирилл Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 137. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента | Сачков, Виктор Анатольевич | 2011 |
| Исследование туннельных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами методами спектроскопии адмиттанса | Иванова, Яна Владимировна | 2019 |
| Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия | Форш, Екатерина Александровна | 2013 |