Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе | Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич | 2014 |
| Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии | Павлюченко, Максим Николаевич | 2002 |
| Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров "пакетами" активных частиц газа большой плотности | Макушев, Игорь Алексеевич | 2003 |