Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства нанокристаллов германия в плёнках оксида германия | Марин, Денис Викторович | 2013 |
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ | Харламов, Фёдор Владимирович | 2009 |