Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках», автор — Барышников Кирилл Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 137. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние примесей и молекулярного окружения на оптические свойства квантовых точек селенида кадмия | Целиков, Глеб Игоревич | 2013 |
| Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация | Сивакова, Ксения Петровна | 2009 |
| Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах | Кибис, Олег Васильевич | 1999 |