Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
- Автор:
Барышников Кирилл Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
137
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках», автор — Барышников Кирилл Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 137. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии | Смыслова, Татьяна Николаевна | 2013 |
| Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex | Синятынский, Алексей Алексеевич | 1984 |
| Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx | Мартяхин, Валерий Александрович | 1987 |