Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах
- Автор:
Герт Антон Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
94
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит | Шевченко, Ольга Юрьевна | 2005 |
| Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами | Винниченко, Максим Яковлевич | 2013 |
| Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния | Рыжкова, Мария Валерьевна | 2008 |