Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком
- Автор:
Сысоева Светлана Геннадьевна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
156
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физические механизмы релаксации напряжений в природных материалах с иерархической структурой | Зайцев, Дмитрий Викторович | 2011 |
| Механизмы магниторезистивного эффекта в гранулярных высокотемпературных сверхпроводниках | Балаев, Дмитрий Александрович | 2010 |
| Исследования из первых принципов, влияния релаксации на образование упорядоченных растворов замещения в системе алюминий - переходные металлы | Никитин, Никита Юрьевич | 2012 |