Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком
- Автор:
Сысоева Светлана Геннадьевна
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
156
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком», автор — Сысоева Светлана Геннадьевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2018 году. Объем работы: 156. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Туннельные переходы Ti/TiO x /Ti с малой ёмкостью: перенос заряда и одноэлектронные явления | Литвин, Леонид Владимирович | 2002 |
| Магнитное упорядочение и фазовые переходы в слоистых треугольных антиферромагнетиках | Бондаренко, Ирина Николаевна | 2003 |
| Поверхостное межфазное диффузионное взаимодействие в высокотемпературных покрытиях на металлах | Коршун, Валентин Иванович | 1984 |