Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
- Автор:
Рубан, Олег Альбертович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
108
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями | Васильевский, Иван Сергеевич | 2018 |
| Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт литографии | Зайцев, Алексей Александрович | 2014 |
| Новые направления создания промышленных полевых СВЧ транзисторов на основе арсенида галлия | Лапин, Владимир Григорьевич | 2019 |