Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда
- Автор:
Цацульников, Андрей Федорович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
200
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Двумерные соединения Tl-Sn, Tl-Pb и Au-Al на поверхности Si(111) | Тупчая Александра Юрьевна | 2018 |
| Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2 | Аль, Хайлани Хассан Исмаил Дамбос | 2019 |
| Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Григорьев, Денис Валерьевич | 2005 |