Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда
- Автор:
Цацульников, Андрей Федорович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
200
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi | Шаронова, Лариса Васильевна | 1984 |
| Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe | Осипов, Павел Анатольевич | 2000 |
| Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников | Клюев, Виктор Григорьевич | 1998 |