Лазерная спектроскопия неравновесных процессов в полупроводниковых квантовых нитях и точках

• Автор: Жуков, Евгений Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 241 с. : ил.

Публикации по теме диссертации

Глава I. Экситонные состояния в квазиодномерных и квазинульмерных

полупроводниковых структурах (по литературе)

§1.1. Экситоны в полупроводниковых структурах с пониженной

размерностью

§1.2. Эффект диэлектрического усиления экситонов

§1.3. Эффект диэлектрического усиления экситонов в реальных квантовых

нитях (теория)

Глава II. Экситонные состояния в полупроводниковых (1пР) квантовых нитей, кристаллизованных в диэлектрической матрице хризотил
- асбеста

§2.1. Методы получения полупроводниковых квазиодномерных структур

§ 2.2. Описание экспериментальных установок, используемых для изучения оптических свойств квантовых нитей, кристаллизованных в
диэлектрической матрице хризотил - асбеста
§ 2.3. Оптические свойства квантовых нитей 1пР, кристаллизованных в диэлектрической матрице хризотил-асбеста
Глава III. Нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях СаАэ и СйБе с диэлектрическим (хрпзотил-асбсст) барьером
§3.1. Оптические свойства полупроводниковых квазиодномерных структур
при высоких уровнях возбуждения
§ 3.2. Методика измерения спектров нелинейного дифференциального
пропускания
§ 3.3. Спектры нелинейного дифференциального пропускания полупроводниковых (ваАв и Сс18е) квантовых нитей, кристаллизованных в хризотил - асбесте

Глава IV. Особенности излучательных и безызлучательных процессов рекомбинации экситонов в квантовых нитях полупроводникдиэлектрик
§ 4.1. Релаксационные процессы в полупроводниковых структурах с полупроводниковым и диэлектрическим окружением
§ 4.2. Спектры фотолюминесценции квантовых нитей и точек полупроводник (InP) - диэлектрик в присутствие интенсивной дополнительной резонансной накачки
Глава V. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS,CdSe) - диэлектрик (АЬОз)
§ 5.1. Описание метода приготовления исследуемых образцов и экспериментальной установки
§ 5.2. Оптическая плотность и спектры фотолюминесценции наноструктур
CdS и CdSe, кристаллизованных в наноканалах AI2O3
• § 5.3. Разрешенные во времени спектры фотолюминесценции наноструктур CdS и CdSe, кристаллизованных в паноканалах диэлектрической матрицы
А1203
§ 5.4. Спектры фотолюминесценции квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в наноканалах AI2O3, при высоких уровнях оптического возбуждения
Глава VI. Релаксация и рекомбинация экситонов в наноструктурах пористого InP при различных уровнях оптического возбуждения
§ 6.1. Спектры и кинетика фотолюминесценции пористого п-InP при высоких
уровнях оптического возбуждения
§ 6.2. Процессы, обуславливающие замедление релаксации возбужденных
носителей в объемных полупроводниках и наноструктурах
§ 6.3. Замедление релаксации возбужденных носителей в наноструктурах пористого InP

Глава VII. Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых самоорганизованных квантовых точках CdSe/ZnSe
§ 7.1. Методы получения и оптические свойства самоорганизованных
квантовых точек CdS/ZnSe и CdSe/ZnSe
§ 7.2. Механизм передачи оптического возбуждения в самоорганизованных
квантовых точках CdSe/ZnSe
§ 7 3. Фотолюминесценция самоорганизованных квантовых точек
CdSe/ZnSe при высоких уровнях возбуждения
Заключение
Список литературы

(1.8)-(1.11) носят оценочный характер.
Приведем также в полученные в [9] выражения для потенциала взаимодействия между электроном и дыркой в тонкой полупроводниковой пленке, окруженной диэлектриком. Если расстояние между электроном и дыркой г много меньше толщины полупроводниковой пленки ds, то в этом случае потенциал взаимодействия зависит от диэлектрической постоянной полупроводника слоя и определяется соотношением:
бб'
V(r) = , где епе' -заряды электрона и дырки.
постоянной матрицы и имеет вид: К(г) = —. В этом случае часть силовых линий
между электроном и дыркой, выходит за пределы полупроводникового слоя в окружающий диэлектрик.
В промежуточной области размеров потенциал взаимодействия определяется более сложным выражением и зависит сразу от диэлектрических постоянных полупроводника и диэлектрика:
где С«0.577 - константа Эйлера. Автор работы обращает внимание на то обстоятельство, что в полупроводниковых пленках такой толщины потенциал взаимодействия (1.10) слабо зависит от расстояния между электроном и дыркой.
Согласно модели, принятой в работе [9], потенциал взаимодействия (1.12) обусловлен присутствием в наноструктурах “зарядов изображений” - зеркальным отражением реальных зарядов относительно поверхности структуры. Электростатическое поле вблизи поверхности представляет собой суперпозицию полей реального заряда и “зарядов изображения”. Величина “зарядов изображения” определяется соотношением диэлектрических констант полупроводника наноструктуры и окружающего диэлектрика. В случае тонкого полупроводникового слоя диэлектрическим окружением необходимо рассматривать две параллельные поверхности, порождающие бесконечную серию “зарядов изображения”. Для рассматриваемой области расстояний эта цепочка зарядов может быть представлена

В случае г » —'г ds , потенциал взаимодействия уже зависит от диэлектрической (1.12)