Исследование эффектов переключения и памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов
- Автор:
Алексеева, Людмила Геннадьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
139
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах | Бугров, Владислав Евгеньевич | 2013 |
| Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H | Нальгиева, Мадина Алихановна | 2006 |
| Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот | Курганская, Любовь Викторовна | 2009 |