Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе

• Автор: Вартанян, Роберт Серобович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 183 c. : ил

Глава I. МЕТАСТАЕИЛЪНЫЕ ТВЕРЖЕ РАСТВОРЫ

(Gre2) х (Ga А s) * - х ; особенности синге за и

ИССЛЕДОВАНИЯ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

§ I.I.Особенности синтеза метащабильных твердых

растворов в системах С|у — А'" В1'

§ I.2.Получение и исследование^метастабильных твердых

растворов (ße2)x (G-a Аз^-х

I.2.1.Структурный фазовый переход в твердых растворах

(Ge2)x (GraAs)<-x

1.2.2.Зависимость постоянной решетки твердого

раствора (ße£)x (G’QAÖi-.X от состава

1.2.3.Зонная структура (Ge2)x (G-aA^/i-x
§ 1.3. Особенности исследования метастабильных твердых
растворов (Сте2)х (GaA^-x
1.3.1. Масштаб искривления зон в легированных полупроводниках
1.3.2. Влияние флуктуации состава на электронные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов
1.3.3. Некоторые особенности люминесценции сильно легированных полупроводников (СЛП)
1.3.4. Эффект Долла в неоднородных полупроводниках .... 41 § 1.4. Постановка задачи
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1. Метод получения эпитаксиальных слоев метастабильных твердых растворов (0е2)х (GaAs)<_x

§ 2.2. Методики определения составов и толщин эпитаксиальных слоев ((хег)х
§ 2.3. Методика исследования электрофизических свойств
твердых растворов (Сге2)х (0-аАа)^_х
§ 2.4. Возбуждение и регистрация спектров фотолюминесценции твердых растворов
2.4.1. Возбуждение фотолюминесценции
2.4.2. Методика регистрации спектров фотолюминесценции
2.4.3. Температурные измерения фотолюминесцентных
свойств твердых растворов
2.4.4. Методика градуировки фотоприемников
§ 2.5. Методика измерений пропускания и отражения эпитаксиальных слоев (&е2)х (Ста А 8) ,|_х
§ 2.6. Методики исследования гетеропереходов на основе
твердых растворов (б-е^ (СгаАз)*-*
2.6.1. Получение омических контактов к твердым растворам (<Ь2)х(ао( Ав)^_х
2.6.2. Измерение ВАХ р-п. -гетеропереходов
Глава 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДИX РАСТВОРОВ
(&е2)х ((З-аАй) 4_х
§ З.Х. Результаты исследований зависимостей холловской концентрации носителей заряда, их подвижности и проводимости твердых растворов (Оге2)х (СгаАа),1_х
от состава и условий выращивания
§ 3.2. Влияние отжига на электрофизические параметры
твердых растворов (Стег)х ( ба Ай)^_ *
§ 3.3. Обсуждение результатов
Основные результаты и выводы

Глава 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНГИЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРД1Х
РАСТВОРОВ (&е2 ) х ( (ха А й) < _ *
§ 1.4. Фотолюминвсцвнтные свойства твердых растворов
((Зе^Ц&аАбЦ-х
4.1.1. Экспериментальные результаты
4.1.2. Обсуждение результатов
§ 4.2. Оптические константы твердых растворов
(&6г)х (йаА&)-|- х
§ 4.3. Исследования спектров комбинационного рассеяния
света твврдых растворов (3-ег)*(ааАв)4_х
Основные результаты и выводы
Глава 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА р-П -ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ
(в-еа)х (Сд-аАвЗч-х
§ 5.1. Особенности р-п -гетероструктур на основе твердых растворов (Огег) * ( Сл-а Д л к и их
электрические характеристики
§ 5.2. Фотоэлектрические свойства р-п -гетерострук-тур на основе твердых растворов
(&ег)х(ааАа)<-х
Основные результаты и вывода
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

вращение пьедестала. Геометрические размеры графитового пьедеста- 1 ла: диаметр - 45 мм, высота - 25 мм.
При температуре выращивания над подложкой происходит разложение компонентов газовой смеси ОеН„+ &х(СН3)з+АяНз+ Нг . Суммарная реакция, приводящая к образованию твердых растворов, может быть записана в виде
2х йеН4 + (Н-X) йа(СН3)з + 0 ■-X) Ав Нз 550-850°>-(ве,^((ЗаАв),_,; + -зо-х)ан„* + 2хН2
Состав твердого раствора зависел от отношения парциальных давлений &еН4 и &а(СНз)з в водороде и практически не изменялся при варьировании концентрации А$Нз , подаваемого в избытке по отношению к 0п(СНг)з
Эпитаксиальные слои твердых растворов были однородны по составу и толщине, которая изменялась от 0,5 до 5 мкм, имели зеркальную поверхность во всем итервале составов. Скорости роста эпитаксиальных слоев составляли 0,1-0,2 мкм/мин, при суммарных расходах водорода от I до 3 л/мин при Т = 600*800°С.
§ 2.2. Методики определения составов и толщин
эпитаксиальных слоев (Сге2)х ( Ста А
Анализ состава твердых растворов проводился рентгеноспектральным методом на микроанализаторе " СатеЬах". в основе локального микрорентгеноспектралъного анализа лежит явление возникновения характеристического рентгеновского излучения в микро-объеме исследуемого образца при бомбардировке последнего быстрыми