Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP
- Автор:
Клочков, Алексей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
153 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Богословский, Никита Александрович | 2013 |
| Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях | Шаталов, Максим Сергеевич | 1999 |
| Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te | Дьяков, Сергей Николаевич | 2000 |