Исследование кристаллов с дефокусированными атомными соударениями

• Автор: Дмитриев, Юрий Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Харьков
• Количество страниц: 192 c. : ил

Некоторые часто встречающиеся обозначения
Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Точечные дефекты в кристаллах
1.1.1. Энергетические характеристики точечных дефектов
1.1.2. Радиационные дефекты в кристаллах
1.2. Зоны неустойчивости в кристаллах
1.3. Ориентационные" рффекты
1.3.1. Фокусировка
1.3.2. Каналирование
1.4. Парные потенциалы взаимодействия
1.5. Прогнозирование влияния ионизирующего излучения на физические свойства диэлектрических и полупроводниковых материалов
1.6. Влияние облучения на некоторые физические свойства неметаллических кристаллов с различной кристаллической структурой . . 4х
1.6.1. Флюорит
Г.6.2. Биксбиит
1.6.3. Сфалерит
1.6.4. Полуторный теллурид индия
Глава II. РАСЧЕТ СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ РЫХЛОСТИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ
2.1. Пустоты в-плотнейшей укладке шаров и стехиометрические вакансии

2.2. Параметры решетки кристаллов с различной степенью заполнения в модели плотнешей упаковки
2.3. Зарядовое состояние атома, выбиваемого
из узла решетки в ионно-ковалентных кристаллах с различной степенью ионности
2.4. Расчет энергии фокусировки и длин пробега динамических краудионов в различных кристаллических структурах
2.4.1. Дефокусировка атомных соударений
2.4.2. Дополнительная фокусировка
2.5. Машинный расчет параметров фокусировки атомных соударений в кристаллах с СВ
2.5.1. Нейтральная модель
2.5.2. Ионная модель
2.6. Структурный критерий радиационной стойкости
Глава III. МЕТОДИКА. ЭКСПЕРШШТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
3.1. Синтез SnSe и SnSeg . Выращивание монокристаллов. Контроль образцов
3.2. Синтез BlF3 . Контроль образцов
3.3. Промышленное сырье'
3.4. Методика измерений физических параметров полупроводников при комнатной температуре
3.4.1. Измерение микротвердости
3.4.2. Методика измерений электрических параметров
3.5. Методика исследования температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников
3.5.1. Измерение температурной зависимости
электропроводности в области низких температур

3.5.2. Измерение термостимулированной проводимости (ТСІЇ)
3.6. Измерение спектров диффузного отражения
3.7. Измерение спектров ИК-поглощения
3.8. Методика экспериментов по облучению кристаллов ионизирующими частицами
3.8.1. Облучение потоком электронов
3.8.2. Облучение потоком нейтронов
3.9. Методика закалки и отжига кристаллов
3.9.1. Методика закалки
3.9.2. Отжиг кристаллов
Глава ІУ. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
4.1. Исследование спектров диффузного отражения в области 350-900 нм
4.2. Исследование спектров инфракрасного поглощения в области 2000-400 см“
4.2.1. Влияние термической обработки на ИК-поглощение кристаллов
4.2.2. Влияние нейтронного облучения на ИК-пог-лощение кристаллов
4.3. Исследование изменения электрофизических параметров монокристаллов 5п5е и Зп5в2 после воздействия различных видов облучения
4.4. Сопоставление расчетов с эксперименталь-. нями результатами
4.5. Экспериментальное исследование равновес ных точечных дефектов в кристаллах типа Оп2Тез
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Примечания

Рис.8. Октаэдрические (ОП) и тетраэдрические (ТП) позиции в КПУ атомов основной кладки (ОК).