+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочных силицидов железа

Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочных силицидов железа
  • Автор:

    Яковлев, Иван Александрович

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2014

  • Место защиты:

    Красноярск

  • Количество страниц:

    139 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
Список сокращений и условных обозначений 
1.1 Формирование ферромагнитного силицида Fe^Si


Оглавление

Список сокращений и условных обозначений


Введение
Глава 1 Обзор литературных данных по методам получения, исследованию структурных, оптических и магнитных свойств системы Fe-Si

1.1 Формирование ферромагнитного силицида Fe^Si

1.2 Формирование полупроводникового силицида (}-FeSi

1.3 Выводы к главе и постановка задачи

Г лава 2 Методика эксперимента и экспериментальное

оборудование

2.1 Дифракция отраженных быстрых электронов

2.2 Лазерная отражательная эллипсометрия


2.3 Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
2.4 Просвечивающая электронная микроскопия
2.5 Ex situ магнитные исследования гистерезиса
2.6 Исследование магнитных свойств методом ферромагнитного резонанса
2.7 Рентгеноструктурный анализ
2.8 Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ
2.9 Технология получения исследуемых наноструктур
2.9.1 Напылительная система
2.9.2 Технология приготовления подложек
Глава 3 Формирование структур Бе на 81(001) 2x1 при
твердофазной эпитаксии и реактивной эпитаксии
3.1 Структуры Ге, полученные методом твердофазной эпитаксии
3.2 Структуры Ге, полученные методом реактивной эпитаксии
3.3 Исследование структур Ге/81(001) методами ЭОС и СХПЭЭ
3.4 Выводы к главе
Глава 4 Исследование магнитной анизотропии пленок Бе на
81(001) и 81(111)
4.1 Магнитная анизотропия структуры Ге/81(001) 2x
4.2 Магнитная анизотропия структуры Ге/8Ю2/51(001)
4.3 Магнитная анизотропия структуры Ге/81(111) 7x
4.4 Магнитная анизотропия структуры Ге/вЮг/З^Ш)
4.5 Обсуждение магнитной анизотропии пленок Ге на
8102/81(001) и 81(001) 2x
4.6 Выводы к главе
Глава 5 Исследование силицидов Ге381 и /?-Ге812, полученных
методом соосаждения
5.1 Формирование пленок при соосаждении Ге и
5.2 Структура и магнитные свойства силицида Ге381, полученного соосаждением Ге и
5.3 Структура и магнитные свойства силицида Р-Гс812,
полученного соосаждением Ге и
5.4 Выводы к главе
Заключение
Список литературы
Список сокращений и условных обозначений
ГМС - гигантское магнитосопротивление МС - монослой
ОЦК - объемно-центрированная кубическая (решетка)
ГЦК - гранецентрированная кубическая (решетка)
РЭ - реактивная эпитаксия
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
ТФЭ - твердофазная эпитаксия
ДОБЭ - дифракция отраженных быстрых электронов ЭОС - электронная ожэ-спектроскопия
СХПЭЭ - спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
РСА - рентгеноструктурный анализ
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия
ФМР - ферромагнитный резонанс
РСФА-рентгеноспектральный флуоресцентный анализ
ЭДС - электродвижущая сила
СВЧ - сверхвысокочастотное (излучение)
СВВ - сверхвысокий вакуум ОЛН - ось легкого намагничивания ОТН — ось трудного намагничивания АСМ - атомно-силовая микроскопия

При условии дифракции от монокристалла «на прохождение» осуществляется расчет и проверка углов между плоскостями (кк1) и (к2к212) по формуле:
cos ц> =
^ кк2 ^ /]/
-Т + -Т + -г2 h2 ,

которая соответствует орторомбической системе. Для кубической и тетрагональной систем угол между плоскостями легко вычисляется из (5) при условии, что а = b = с (кубическая) и а = Ьфс (тетрагональная), и на основе полученных значений строится теоретически рассчитанная дифракционная картина (пример приведен на рисунке 10).
■Transmission RHEED"

SI Эгеак Positions

Рисунок 10 — Расчетная картина ДОБЭ для эпитаксиального Д-Ре512на 51(111) при направлении луча по [110]5,- [78]
2.2 Лазерная отражательная эллипсометрия
Под термином «эллипсометрия» понимают оптический метод исследования поверхностей и объемных сред, основанный на анализе амплитудных и фазовых изменений световой волны при ее взаимодействии с исследуемым объектом. Здесь анализируются поляризационные свойства волны, отраженной от поверхности образца; в таком случае говорят об отражательной эллипсометрии. Идеи и принципы эллипсометрии используются в очень широком спектре

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.206, запросов: 967