Явление самоотражения в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках
- Автор:
Ляхомская, Ксения Данииловна
- Шифр специальности:
01.04.02
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Тирасполь
- Количество страниц:
137 с. : ил
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Явление самоотражения в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках», автор — Ляхомская, Ксения Данииловна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.02. Работа подготовлена в городе Тирасполь в 2001 году. Объем работы: 137 с. : ил. Внутренний код товара: 01002294373. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Модель φ4 теории критических явлений: асимптотики высоких порядков в схеме минимальных вычитаний | Комарова, Марина Владимировна | 2004 |
| Корреляционные эффекты и эффекты управления в дираковских материалах | Заболотский, Андрей Дмитриевич | 2018 |
| Непертурбативные разложения в квантовой теории поля | Соловцов, Игорь Леонидович | 2000 |