Теория спектров и релаксации возбуждений в кристаллах CsCdBr3 , активированных редкоземельными ионами

• Автор: Исхакова, Альфия Ильдусовна
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 124 с.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Локальная структура примесных центров и динамика решетки кристаллов
СвСаВгзгЬп31"
1.1. Локальная структура симметричных димеров Ілі3+-вакансия Сс12+-Ьп3+
1.2. Динамика решетки регулярного кристалла СэСсШгз
1.3. Локальная динамика примесной решетки
ГЛАВА 2. Штарковская структура спектров редкоземельных ионов в кристаллах
СвСаВгз
2.1. Кристаллическое поле и энергетический спектр ионов Тт3+ в симметричных димерах в СэСсШгз: Тт3+
2.2. Кристаллическое поле и энергетический спектр ионов Рг3+
2.3. Штарковская структура уровней энергии и параметры кристаллического поля для ионов Но3+ в симметричных димерах в СзСёВг3:Но3+
2.4. Модель кристаллического поля с переносом заряда и спектры ионов УЬ3+
в симметричных парных центрах в СбСс1Вгз:УЪ3+
ГЛАВА 3. Сверхтонкая структура спектров ЭПР и оптических
спектров редкоземельных ионов кристаллах СвСОВгзЗ.п3 '
(їді = Тт, Но, УЬ, Рг)
3.1 Субмиллиметровые спектры электронно-ядерных возбуждений в кристаллах СзСс1Вгз:Тт3+
3.2 Субмиллиметровые спектры электронно-ядерных возбуждений
в кристаллах СзСбВгз:Но3+
3.3 Спектры ЭПР в кристаллах СбС(1Вгз:УЬ3
3.4. Сверхтонкая структура спектров инфракрасного поглощения
в кристаллах С8СёВг3:Рг3+
ГЛАВА 4. Глава 4. Релаксация возбуждений в активированных
кристаллах СбСсШгз
4.1. Однофононные переходы и релаксационное уширение линий оптического поглощения в кристаллах СэСсШгзЛг3'
4.2. Процессы спин-решеточной релаксации в кристаллах СзСс1Вгз:УЬ3+
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Введение
Актуальность темы исследования. Оптические спектры и динамика возбуждений в кристаллах СбСйВгз, активированных редкоземельными (РЗ) ионами, активно исследуются в последние годы во многих лабораториях как в России, так и за рубежом, с целью получения новых эффективных преобразователей инфракрасного излучения в излучение видимой и ближней ультрафиолетовой областей спектра.
Примесные РЗ ионы в СвСйВгз преобразуют инфракрасное излучение накачки в видимое излучение. Это явление связано с аккумулированием энергии возбуждения отдельных ионов на одном ионе (в частности, в парных центрах при возбуждении обоих ионов энергия с одного из ионов переносится на второй и высвечивается фотоном с частотой, близкой к суммарной частоте возбуждений изолированных ионов), и в англоязычной литературе его принято называть апконверсией (ирсопуегеюп) [1-2]. (Теория апконверсии изложена в обзоре [3].) Кристаллы СзС’сШгуЬп3 могут быть использованы в качестве преобразователей излучения в красную, сине-зеленую и фиолетовую области видимого света.
Кристаллическая решетка СТСбВгз относится к пространственной группе Бби4 и состоит из линейных цепочек октаэдров (Сс1Вгб)", вытянутых вдоль тригональной оси; цепочки связаны между собой ионами Сд+. Расстояние между двумя ионами Сс12+ в цепочке (3.361 А) более чем в два раза меньше расстояния между цепочками (7.675 А), так что структура имеет квазиодномерный характер. Точечная симметрия ионов С<12+ -Иза- РЗ ионы 1л13+ замещают ионы Сс12+, могут образовываться центры с различными механизмами зарядовой компенсации. Было обнаружено, что примесные ионы образуют преимущественно парные центры, замещая три соседних иона Сб2+; при этом вакансия в узле Сс12+ находится между РЗ ионами: (Ьп3+- вакансия Сс12+ - Ьп3+], в результате образуется электрически нейтральный симметричный линейный димер,
Спектральные распределения корреляционных функций

СвСсЮгз
Частота (см )
Рис. 5. Спектральные представления корреляционных функций для разностей смещений иона кадмия (г = (0,0, 0)) и иона брома Вг1 (п = {ахМЪ, 0, -с/4).