Электронные и фононные процессы в легированном антимониде галлия и магнитоупорядоченных и направленно-выстроенных сплавах на его основе

• Автор: Сафаралиев, Г.И.
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 412 c. : ил

ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

ГЛАВА I. Получение легированных, направленно-выстроенных и магнитоудорядоченных кристаллов на основе долу проводников Ас участием переходных элементов и исследование их физико-химических свойств.
§ I. Некоторые особенности физических свойств полупроводников А%^ легированные переходными элементами § 2. Получение чистых и легированных монокристаллов тп

ОаВь с примесями , Те ,Мя и Ъ'т

§ 3. Магнитоудорддоченные и направленно-выстроенные сплавы на основе полупроводников А%у с участием

переходных элементов

§ 4. Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы ЛпВ$
§ 5. Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы
§ 6. Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы состояния системы
§ 7. Исследование физико-химических свойств и построение диаграммы соотояния системы СаВ^МпТе

§ 8. Получение эвтектических сплавов в системах

е$Є)х^
и исследование их физико-химических свойств ....
Глава II. Исследования кинетических параметров и механизма
рассеяния носителей тока в антимониде галлия, однокомпонентно легированным донорными (Те) и акцепторными () примесями и примесями переходных элементов (Мп, вт)

§ 9. Методика измерения и установка для исследования гальвано- и термомагнитных эффектов в полупроводниках
§ 10.Исследование температурной зависимости электропроводности и эффекта Холла антимонида галлия, легированного акцепторными ( Хп, л и донорными ( 7е ' примесями
5 II.Влияние легирующих добавок оі~ и £ - переходных
элементов (М-п , Эол' на физические свойства и характер химических связей в ЄаБ§
6 12.Исследование температурной зависимости электропроводности и эффекта Холла (?а9ё , легированного марганцем и самарием
§ 13.Исследование термоэдс чистого и легированного
антимонида галлия п- и р-типа
§ 14.Исследование термомагаитных эффектов НернстаЭттингсгаузена и поперечного магнитосопротивление в чистом и легированном антимониде галлия п- и р-типа

15.Механизм рассеяния носителей тока в (?а5ё , легированном донорными ( 1Ь ''и акцепторными примесями и примесями переходных элементов Ш,
§ 16.Исследование эффективных масс плотности состояний
на основе термоэдс легированного антимонида галлия
Глава III.Получение и исследование особенностей переноса
электрического заряда сложнолегированного компенсированного антимонида галлия
§ 17. Некоторые особенности в кинетических свойствах сложнолегированных компенсированных полупроводников
§ 18. Получение сложнолегированных кристаллов
Са£&< > и и исследование их
электрических, гальваномагнитных и термомагнитных свойств

5 19,Исследование особенностей переноса заряда в
сложнолегированном компенсированном П-(ГаЗ&<2»1/Ге>
5 20.Исследование особенностей переноса заряда в
сложнолегированном компенсированном р-&х%<2у,,Ъ>
ГЛАВА ТУ. Кинетические эффекты и механизм рассеяния носителей тока в твердых растворах на основе бчЪЬ
§ 21.Исследование кинетических свойств сплавов системы в зависимости от состава и температуры
§ 22.Исследование кинетических свойств сплавов
((гс&Е] - (Мп%) в зависимости от состава и температуры
5 23.Исследование кинетических свойств и термоэлектрической эффективности сплавов систем (&%)ъ-С#1Ге;х
§ 24.Исследования механизма рассеяния носителей тока в твердых растворах на основе 6а5&
Глава V.Исследование механизмов рассеяния фононов в легированном антимониде галлия и сплавах на его основе
§ 25.Некоторые интересные аспекты исследования
теплопроводности антимонида галлия и сплавов на его основе
Г 26. Решеточная теплопроводность и механизмы
рассеяния фононов в полупроводниках
а'' Теплопроводность кристаллической решетки.
Нормальные (Ж > процессы и процессы переброса ( Ц ^ во взаимодействии фононов
бл Температурная зависимость теплопроводности решетки

возможности образования твердых растворов в системе M^^Ga^ исходила из того факта, что в этой системе при взаимодействии компонентов можно ожидать распаривания электронов Мп ^характерных для изолированных атомов^ с образованием Sf> - состояний, что, в свою очередь, создает условия для замещения атомов Ga в GaSi атомами^п. Исследование физико-химических свойств сплавов разреза Ga9E — Jin v>E интересен еще с точки зрения ВОЗМОЖНОСТИ получения направленно-выстроенных эвтектик на базе GaSfc и фаз марганца. Следует отметить, что данные об упомянутой системе до начала наших исследований в литературе отсутствовали.
Образцы синтезировали сплавлением компонентов в стеклографитовых тиглях, помещенных б эвакуированные кварцевые ампулы с вибрационным перемешиванием. Нагревание до П50°С проводили со скоростью 300 гад/ч., выдерживая ампулы при этой температуре 3 ч. В области температур кристаллизации С600—УО'О°С^ охлаждение проводили очень медленно 05-6 град/ч^ для достижения равновесного состояния и гомогенизации. После синтеза образцы подвергали гомогенизирующему отжигу в течение 200 ч при 550°С.
Диаграмма состояния системы GclSi- Mf)Q§ » показанная на рис.6, построена по данным термического, микроструктурного и рентгенографического анализов с привлечением данных, полученных из измерений МИКрОТЕерДОСТИ и плотности.
Рентгенограммы сплавов изучаемых нами систем снимались ассимметричным методом порошков в камерах РКД на приборе УРС-60 диаметром 57,3 мм. Съемки производились в хромовом излучении, I/ время экспозиции - 2,5-3 часов. Пример расстояний между линиями производился на компараторе марки ИЗА-2. Интенсивность линий на рентгенограммах оценивалась визуально по десятибальной шкале.