Фотоэлектрические и фотомагнитные явления в нелигированных теллуре и антимониде кадмия

• Автор: Поляков, Юрий Анатольевич
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 127 c. : ил

ОГЛАШЕНИЕ

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ I, Кристаллическая структура теллура и антимонида

кадмия и их энергетический зонный спектр

§ 2. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в теллуре и антимониде кадмия

§ 3. Экспериментальные исследования зоны проводимости теллура

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ I. Система создания низких температур

§ 2. Магнитная система

§ 3. Тракт ИК - освещения образца

§ 4. Тракт субмиллиметрового излучения

§ 5. Устройство питания образца
§ 6. Система выделения, обработки и регистрации
сигнала
§ 7. Приготовление и монтаж образцов
ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА
ТЕЛЛУРА
§ I. Фотомагнитный эффект в теллуре при низких
температурах
§ 2. Особенности релаксационных зависимостей ФП и
ФМЭ при низких температурах
§ 3. Циклотронный резонанс в теллуре при низких
температурах в условиях импульсного возбуждения носителей

ГЛАВА 4. КИНЕТИКА РЕЛАКСАЦИЙ И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В НЕЛЕГИРОВАННОМ АНТИМОНИДЕ
КАДМИЯ
§ I. Постановка задачи
§ 2. Спектральные зависимости фотопроводимости
§ 3. Особенности кинетики релаксации фотопроводимости
в нелегированном антимониде кадмия
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В последнее время был достигнут значительный прогресс в технологии производства ряда полупроводников, в том числе теллура и антимонида кадмия, что существенно расширило область их практического использования. Край фундаментального поглощения этих полупроводников лежит в инфракрасной области спектра, что дает возможность создавать на основе Те и Сс(-5Е фотоприемники
ИК - излучения с высокой обнаружительной способностью. Известно, что в диапазоне (2,5 - 4) мкм фотоприемники
с использованием теллура имеют более высокую обнару-жительную способность по сравнению с фотоприемниками других типов, а высокая чувствительность фоторезисторов из антимонида кадмия, легированного теллуром, позволяет создавать фотоприемники с обнаружительной способностью 6-ЮП ем-Гц^2 Вт~^ при Л.~ 2 мкм. Наличие мелких примесных уровней обуславливает возможность исприемников субмиллиметрового диапазона длин волн.
Чувствительность такого приемника на основе р-с&5
Как известно, основные характеристики фотоприемников,
такие как быстродействие, чувствительность, спектральные свойства, в значительной мере определяются микроскопическими параметрами носителей тока и энергетической структурой используемых полупроводников. Однако, детальное исследование этих
пользования Те и
в качестве фотосоставляет
Ю-12 Вт • Гц"^^2 при Л^~ 200 мкм.

биралаеь не кратной частоте повторения импульсов, наводки, связанные с запуском лазера, не оказывали влияния на полезный сигнал. Это позволило с высокой точностью регистрировать форму исследуемых импульсов, что производилось путем медленного сканирования величины задержки А Т по времени с помощью строб-интегратора (рис. 5, № 5).
Чувствительность всего тракта регистрации импульсных сигналов при частоте модуляции « 140 Гц, при частоте следования импульсов ~ 940 Гц, длительности строба ^ 50 не и времени усреднения 1Г~ 3 с составляла ~ 4,Ю“^А.
§ 7. Приготовление и монтаж образцов
Используемые в данной работе образцы теллура были приготовлены из монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского путем вытягивания из расплава вдоль тригональной оси С3 . Слитки имели вид шестигранных призм длиной ~ 5 см и диаметром ^ I см.
Образцы антимонида кадмия изготавливались из монокристаллов, выращенных методом’ зонной перекристаллизации в направлении оси С
Наиболее чистые образцы обоих полупроводников обладали проводимостью р- типа с остаточной концентрацией дырок при 77 К ро~10^ см-^ для Те и р0^
~ Ю15 см”^ для С.<1$&
Во избежание возникновения дефектов кристаллической структуры, которые могут оказывать сильное влияние на многие свойства исследуемых полупроводников [32, 75], приготовление образцов производилось следующим образом.