Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Багаев, Тимур Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии», автор — Багаев, Тимур Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2013 году. Объем работы: 116 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006725086. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления | Сергиенко, Андрей Алексеевич | 2006 |
| Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей | Олива, Эдуард Владимирович | 2002 |
| Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты | Чеботарев, Сергей Николаевич | 2007 |