Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Багаев, Тимур Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций | Курочка, Александр Сергеевич | 2013 |
| Закономерности осаждения слоёв диоксида титана из газовой фазы, содержащей тетраизопропилат титана | Барышникова, Марина Владимировна | 2013 |
| Перенос водорода в сплавах V-Pd и мембранное выделение сверхчистого водорода для технологий микроэлектроники | Передистов, Евгений Юрьевич | 2017 |