Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Багаев, Тимур Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокочистые координационные соединения металлов с органическими лигандами для люминесцентных структур | Сайфутяров, Расим Рамилевич | 2019 |
| Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br | Крылов, Николай Иванович | 2010 |
| Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе | Калугин, Виктор Владимирович | 2001 |