Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе
- Автор:
Яроцкая, Ирина Валентиновна
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка минилазеров для исследования записи информации в светочувствительных материалах нелинейно-оптическими методами | Сергеев, Андрей Николаевич | 2014 |
| Перестраиваемые гетеролазеры A3 B5 и системы на их основе для определения газовых микропримесей и дистанций | Кононов, Андрей Сергеевич | 2001 |
| Возбуждение волноводных мод в полупроводниках при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов | Дюкин, Роман Владимирович | 2011 |