Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе
- Автор:
Яроцкая, Ирина Валентиновна
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе», автор — Яроцкая, Ирина Валентиновна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.03. Работа подготовлена в городе Москва в 2013 году. Объем работы: 117 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006717600. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристиками | Прохоров, Вячеслав Викторович | 2007 |
| Гибридная интеграция вертикально излучающих лазеров на поверхность кремниевых интегральных схем для создания оптических линий передачи данных | Кацнельсон, Алексей Александрович | 2005 |
| Исследование действия поперечного магнитного поля на работу газоразрядных лазеров и создание управляемого лазера на углекислом газе | Нгуен Тхак Зыонг, 0 | 1985 |