Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе
- Автор:
Яроцкая, Ирина Валентиновна
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Лазерный аппаратно-программный офтальмологический комплекс | Благодатских, Дмитрий Павлович | 2006 |
| Спектральные и энергетические характеристики излучения He-Ne, Ar+ и YAG-Nd3+ -лазеров с активной внутренней и внешней модуляцией | Карасев, Владимир Анатольевич | 1998 |
| Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристиками | Прохоров, Вячеслав Викторович | 2007 |