Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе
- Автор:
Яроцкая, Ирина Валентиновна
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Модификация релаксации и когерентные эффекты в многоуровневых квантовых системах под действием сильного поля | Радионычев, Евгений Витальевич | 1999 |
| Масштабы фазовой аберрации активного элемента и пути управления качеством изучения в лазерах на неодимовом стекле | Страхов, Сергей Юрьевич | 1999 |
| Разработка и исследование лазерной технологии вытяжки ближнепольных оптических зондов | Калачев, Алексей Иванович | 2002 |