Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT - транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале
- Автор:
Лукашин, Владимир Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Фрязино
- Количество страниц:
127 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесцентные свойства микро- и наноструктур на основе оксида цинка | Якимов, Евгений Евгеньевич | 2006 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования наноразмерных планарных структур на основе пленок BiFeO3 для устройств обработки и хранения информации | Алябьева, Наталья Ивановна | 2014 |
| Коллективное поведение вихрей и когерентное излучение электромагнитных волн в джозефсоновских структурах | Курин, Владислав Викторович | 2002 |