Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
- Автор:
Козловский, Эдуард Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Великий Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна | Супрунова, Елена Федоровна | 2002 |
| Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросистемы с использованием методов приборно-технологического моделирования | Балашов, Александр Геннадьевич | 2006 |
| Релаксация рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров V группы в кремнии при излучении фононов | Цыпленков, Вениамин Владимирович | 2010 |