Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
- Автор:
Козловский, Эдуард Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Великий Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Морфологические особенности зарождения пор в процессе формирования макропористого кремния | Гаврилин, Евгений Юрьевич | 2006 |
| Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии | Мухин, Игорь Игоревич | 2012 |
| Совершенствование технологии создания устройств микро- и наноэлектроники с использованием неравновесной СВЧ плазмы низкого давления | Шаныгин, Виталий Яковлевич | 2015 |