Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
- Автор:
Козловский, Эдуард Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Великий Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Применение высокоэнергетичных электронов в технологии силовых кремниевых приборов для улучшения их динамических и статических параметров | Коновалов, Михаил Павлович | 2005 |
| Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди | Светличная, Людмила Александровна | 2008 |
| Моделирование и проектирование монолитных интегральных схем малошумящих усилителей диапазона крайне высоких частот | Гнатюк, Дмитрий Леонидович | 2012 |