Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
- Автор:
Козловский, Эдуард Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Великий Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и прогнозирование радиационной стойкости светодиодов из фосфида галлия | Числов, Александр Алексеевич | 2005 |
| Разработка и исследование технологических основ создания массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок для устройств микроэлектронной сенсорики | Климин, Виктор Сергеевич | 2013 |
| Численное моделирование кремниевых многослойных структур и разработка пакета программ для проектирования диодов и тиристоров | Ростовцев, Игорь Львович | 1989 |