Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
- Автор:
Козловский, Эдуард Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Великий Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs», автор — Козловский, Эдуард Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Великий Новгород в 2013 году. Объем работы: 167 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006744828. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальные исследования конкуренции мод и нелинейных эффектов в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазерах с комбинированными квантовыми ямами и с резонаторами различного типа | Некоркин, Сергей Михайлович | 2005 |
| Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники | Кузьмин, Николай Геннадьевич | 2005 |
| Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов | Итальянцев, Александр Георгиевич | 2009 |