Технология сульфида силиката цинка

• Автор: Сабахова, Гузеля Игоревна
• Шифр специальности: 05.17.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 152 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА Е ИСХОДНЫЕ СЫРЬЕВЫЕ КОМПОНЕНТЫ И СПОСОБНОСТЬ К АКТИВАЦИИ В ТЕХНОЛОГИЯХ СУЛЬФИДОВ
1.1 Сера, ее свойства, способность к активации
1.1.1 Физические и химические свойства серы
1.1.2 Применение серы. Технологии сульфидов
1.2 Аморфный диоксид кремния, структура и свойства
1.2.1 Физико-химические свойства диоксида кремния
1.2.2 Структурные особенности поверхности аморфного
диоксида кремния
1.2.3 Активация силикатного компонента. Метод молекулярного наслаивания
1.3 Электрофильный активатор хлорид цинка, применение в
народном хозяйстве
1.4 Использование теоретических методов исследования
(квантово-химических расчетов) для изучения механизма протекающих процессов
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ, МЕТОДИКА
ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Объекты исследования
2.2 Методика проведения эксперимента
2.2.1 Исследование влияния технологических параметров на эксплуатационные характеристики получаемого сульфида
2.2.2 Получение сульфидов на основе серы, песка и кремнеземсодержащей породы, модифицированных хлоридом цинка
2.2.3 Сульфидные защитные покрытия на основе цемента и кварцевого песка, пропитанные в серном расплаве, модифицированном хлоридом цинка
2.3 Методы исследования полученных образцов
ГЛАВА 111. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ХЛОРИДА ЦИНКА НА КОМПОНЕНТЫ СЫРЬЕВОЙ СИСТЕМЫ В ТЕХНОЛОГИИ СУЛЬФИДА СИЛИКАТА ЦИНКА
3.1 Изучение активирующего влияния добавки хлорида цинка на
серный компонент
3.2 Активация аморфного диоксида кремния хлоридом цинка
3.3 Исследование системы «сера -диоксид кремния - хлорид
цинка»
ГЛАВА IV. ОБЛАСТИ ПРОМЫШЛЕННОГО ПРИМЕНЕНИЯ ХЛОРИДА ЦИНКА В ТЕХНОЛОГИЯХ СУЛЬФИДОВ
4.1 Разработка технологии сульфида силиката цинка и материала на его основе активацией компонентов хлоридом цинка
4.2 Технология сульфидных покрытий в силикатных бетонах
путем пропитки в модифицированном серном расплаве
ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
В диссертации использованы следующие сокращения:
НПЗ, ГПЗ- нефте- и газоперерабатывающие заводы
МН - молекулярное наслаивание
ФГ - функциональная группа
ГЛТЭ - поверхностность потенциальной энергии
М- мультиплетность
ПС- переходное состояние
ПМЦ- парамагнитные центры
ЭПР- электронный парамагнитный резонанс
ТГ-термогравиметрия
ДТГ-дифференциальный термогравиметрический анализ ДСК- дифференциальный сканирующий калориметр ССЦ- сульфид силиката цинка

Если использовать хлориды других металлов можно по аналогии получать необходимые структуры. На поверхности диоксида кремния и других матриц были синтезированы новые функциональные группы, которые можно представить в общем виде как (>К-0-)пЕС1т-п0к, где (Д-О-)- фрагмент поверхности твердой матрицы; Е-элемент в составе новой функциональной группы ( А1, И, V, Сг, Р, 1п, Бе, V/, Та, Ъх, В и др.); О-кислород; п, т, к-стехиометрические коэффициенты (к=0, если в качестве низкомолекулярного реагента применяют хлорид, а не оксохлорид).
С.И. Кольцов и В.Б. Алесковский [78-85] детально разработали процессы взаимодействия поверхностных гидроксильных групп с летучим и легко гидролизующимся хлоридом титана:
(БЮЦЬ + Т1С14= +2НС1 (1.8)
Можно утверждать, что к настоящему времени трудно найти класс химических соединений, представители которого не были бы закреплены на поверхности твердых носителей. Для различных практических целей или исходя из тех или иных теоретических соображений разработаны способы химического модифицирования поверхности твердых тел самыми различными соединениями.
Из литературных данных [86-92] известно, что закрепление хлорида цинка к диоксиду кремния, возможно, через активацию поверхности сероводородным газом, применимого в полупроводниковых структурах.
Широкие перспективы развиваются при использовании метода молекулярного наслаивания для получения полупроводниковых структур. В качестве примера можно привести синтез сульфида цинка на гидроксилированной поверхности пластины монокристаллического кремния при 200°С:
=Б1 - ОН + НгБ => =81 - 8Н + Н20, (1.9)
=81 - БН + ZnCl2 => =Б1 - в - гпС1 + НС1, (1.10)
=Б1 - Б - 1пС1 + Н28 => =Б1 - Б - гпБН + НС1 (1.11)