Технология переработки отходов производств, использующих высокочистый кремний

• Автор: Баранов, Константин Викторович
• Шифр специальности: 05.17.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 124 с. : ил.

РЕФЕРАТ
Рассмотрены возможности использования кремнийсодержащих отходов производства элементов солнечных батарей для получения высокочистых соединений различных типов для нанесения тонких слоев диэлектрических покрытий методом низкотемпературного осаждения диоксида кремния на поверхности кремния и кварца из паровой фазы в реакторе проточного типа.
Ключевые слова: кремний, карбид кремния, кремнийорганические соединения (КЭОС), эфиры ортокремневой кислоты, силазаны, силоксаны, синтез, очистка, осаждение, пиролиз, гидролиз.

СОДЕРЖАНИЕ:

1.ВВЕДЕНИЕ
2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
2.1. ПОЛУЧЕНИЕ ТЕТРААЖОКСИСИЛАНОВ ОСОБОЙ ЧИСТОТЫ
2.1.1 .МЕТОДЫ СИНТЕЗА НИЗШИХ ТЕТРААЖОКСИСИЛАНОВ
2.2. ХИМИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТМОС
2.3.ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ТМОС И ТЭОС
3 .МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И АНАЛИЗА 3 О
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
4.1. ИСПОЛЬЗОВАННОЕ СЫРЬЕ И МАТЕРИАЛЫ
4.2. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ВЫДЕЛЕНИЯ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ КОМПОНЕНТОВ ИЗ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СМЕСЕЙ
4.3. ПОЛУЧЕНИЕ ТЕТРАХЛОРИДА КРЕМНИЯ (ЧХК)
ОСОБОЙ ЧИСТОТЫ
4.3.1. СИНТЕЗ ТЕТРАХЛОРИДА КРЕМНИЯ
4.3.2. ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ЧХК
4.4. ПОЛУЧЕНИЕ АЖОГОЛЯТОВ ОСОБОЙ ЧИСТОТЫ
4.4.2. ПОЛУЧЕНИЕ ТЕТРАМЕТОКСИСИЛАНА(ТМОС) ИЗ ЧХК И МЕТАНОЛА
4.5. ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ТМОС
4.5.1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТМОС
4.5.2.РЕКТИФИКАЦИОННАЯ ОЧИСТКА ТМОС
4.5.2.1 РАВНОВЕСИЕ «ЖИДКОСТЬ -ПАР» ДЛЯ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ТМОС
4.5.3. КРИСТАЛЛИЗАЦИОННАЯ ОЧИСТКА ТМОС
4.5.4. АДСОРБЦИОННАЯ ОЧИСТКА ТМОС

4.4.3.4. ФИЛЬТРАЦИОННАЯ ОЧИСТКА ЧХК И ТМОС
5. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ХРАНЕНИЯ И ТРАНСПОРТИРОВКИ ОСОБО ЧИСТЫХ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕД ИНЕНИЙ
6. НЕКОТОРЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ОТХОДОВ ПРОИЗВОДСТВА «СОЛНЕЧНОГО» КРЕМНИЯ
7. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ОСАЖДЕНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ
7.1. ОСАЖДЕНИЕ СЛОЕВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТМОС ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ В ПРИСУТСТВИИ КИСЛОРОДА
7.2. ОСАЖДЕНИЕ СЛОЕВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТМОС ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ В ПРИСУТСТВИИ ВЛАГИ
7.3. ОСАЖДЕНИЕ ОКСИДНЫХ ПОКРЫТИЙ НА
КВАРЦЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЧХК
7.4. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО УЛУЧШЕНИЮ СУЩЕСТВУЮЩЕГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
9.ВЫВОДЫ
10.СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

кремния хлорируется с незначительным положительным тепловым эффектом.
Приведенные данные необходимо учитывать при разработке реактора хлорирования с тем, чтобы избежать локальных перегревов при неэффективном теплоотводе из зоны хлорирования, и при этом обеспечить минимальные энергозатраты за счет использования выделяющегося тепла реакции.
Как видно из расчетов, в рассматриваемом интервале температур существует принципиальная возможность для полного хлорирования всех образующихся компонентов смеси. Возможно даже полное хлорирование диоксида кремния. Однако следует отметить, что хлорирование диоксида углерода, несмотря на энергетические возможности процесса, практически не реализуется, поскольку до температуры 1200К кинетика гетерогенного процесса для реакций (9) и (10) ограничена[79-80], и выход по хлору не достигает 5%, а при более высоких температурах в системах с участием углерода и кислорода преимущественно образуется только оксид углерода[76].