Анализ характеристик двухфазного термосифонного теплообменника с электрогенерирующим устройством

• Автор: Будаева, Регина Сергеевна
• Шифр специальности: 05.14.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 101 с.

Оглавление

Основные обозначения

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Двухфазные и электрогидродинамические термосифоны

1.2.Пленочные термоэлектрогенерирующие устройства

1.3. Вакуумные методы получения полупроводниковых пленок

для термоэлектрогенерирующих устройств

1.4. Низкотемпературные термоэлектрические материалы

для термоэлектрогенерирующих устройств

Глава 2. Технология изготовления подложек для тонкопленочных образцов ТЭГ
2.1. Метод вакуумного термического напыления
2.2. Установка по изготовлению подложки-датчика
на базе ВУП-
Глава 3. Экспериментальная установка и методика измерения теплофизических свойств полупроводниковых пленок для ТЭГ
3.1. Установка для получения и исследования теплофизических свойств полупроводниковых пленок
3.2. Методика измерения теплофизических свойств полупроводниковых пленок
3.3. Экспериментальные результаты и анализ полученных
данных
Глава 4. Двухфазный термосифон с встроенным электрогенерирующим устройством
4.1. Конструкция и теплотехнические характеристики двухфазного термосифона с встроенным электрогенерирующим устройством
4.3. Конструкция и энергетические характеристики пленочного электрогенерирующего устройства
Общие выводы Литература
Основные обозначения
а- коэффициент термо-ЭДС, мкв/К; а- электропроводность, Ом'см'1;
X- коэффициент теплопроводности, Вт/смК;
Ъ- коэффициент термоэлектрической эффективности, К'1 I- сила тока, А; б- толщина, мм;
электрическая мощность, Вт;
К- сопротивление, Ом;
1- длина, мм;
Р- температурный коэффициент сопротивления, К*1;
1- температура, °С; р- плотность, кг/м3; ц- плотность теплового потока, Вт/м2;
(У- коэффициент поверхностного натяжения, Н/м;

У - теплота парообразования, кДж/кг;
ускорение свободного падения, м2/сек;
(I- динамическая вязкость, Нсек/м2;
Р- давление, Па;
(3- тепловая мощность, Вт;
V- напряжение, В;
С1 - коэффициент теплоотдачи, ВтЛЛС;
Ь- ширина, мм; б- диаметр, мм;
М- относительная полезная нагрузка;

Р - удельное сопротивление, Ом'см.

заданного материала (1) помещается в испаритель (2), изготовленный из полосовой фольги вольфрама толщиной 33 мкм. Электрический ток подводится к испарителю посредством шины (5), закрепленной на медных стойках (6), изолированных от несущей пластины (3) алундовыми трубками (4).
На рис.7, б представлен испаритель в виде «моста», предназначенный для испарения никеля, используемого в качестве коммутационного слоя. Эта система применена, потому что использование «лодочки»
затруднительно из-за малой площади смачивания и высокой активности взаимодействия вольфрама с никелем при высоких температурах испарения. Схема «мост» изготовлена из вольфрамовых проволочек, собранных в жгут и переплетенных между собой. Навеска (1) из никеля помещается на испаритель (2). Конструкция подвода электроэнергии к испарителю аналогична рассмотренной ранее системе.
После завершения подготовительных операций: помещения вещества на испаритель и создания условия для проведения процессов, температура испарителя устанавливается в зависимости от выбранного вещества. Регулируя подаваемую мощность на испаритель, изменяем скорость испарения -конденсации. Процесс конденсации вещества на подложке начинается с осаждения отдельных атомов, которые в результате миграции по поверхности образуют структуру из нескольких атомов, перерастающих затем в критические зародыши. С них начинается рост пленки. Важное влияние на рост пленки оказывает чистота и температура поверхности конденсации (подложки). Наличие на подложке адсорбированных газов и паров воды, их последующее поглощение напыляемым материалом, является основной причиной плохой адгезии получаемой пленки к поверхности подложки и образования дефектов по объему пленки. Поэтому для удаления загрязнений и улучшения адгезии подложки, материал подложки проходит термическую обработку, отжиг, с использованием специального устройства (рис. 8). Заготовка подложки (2) крепится к плоскости основания прибора (3) прижимами (1,6). Основание прибора оснащено нагревателем (4), обеспечивающим отжиг заготовки и