Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
- Автор:
Аношкин, Юрий Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.14
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Пенза
- Количество страниц:
219 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методы и алгоритмы функционирования технологической подготовки производства в информационной среде виртуального предприятия | Саломатина, Анна Алексеевна | 2011 |
| Разработка метода и технологии получения субмикронных сверхпроводящих туннельных переходов для низкотемпературных информационно-измерительных приборов | Паволоцкий, Алексей Борисович | 2003 |
| Повышение качества специальных изделий путем оптимизации характеристик их поверхностного слоя | Леонов, Димилян Божидаров | 2014 |