Разработка и исследование радиационного метода контроля на основе полупроводникового преобразователя жесткого тормозного излучения

• Автор: Рубинович, Илья Матвеевич
• Шифр специальности: 05.02.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 236 c. : ил

ГЛАВА I. МЕТОДЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО

ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В ИНТРОСКОПИИ

§ 1.1. Краткий обзор развития методов и средств

визуализации изображений

§ 1.2. Люминесцентные преобразователи

1.2.1. Флюороскопические экраны

1.2.2. Сцинтилляционные кристаллы

§ 1.3. Преобразователи, использукяцие явление

внутреннего фотоэффекта

1.3.1. Рентген-видикон

1.3.2. Преобразователи с косвенной модуляцией

1.3.3. Мозаичные полупроводниковые преобразователи
1.3.4. Преобразователи на основе комбинированных детекторов
§ 1.4. Сравнение чувствительности интроскопических
систем
Выводы к главе I
ГЛАВА 2. РЕГИСТРАЦИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ПЛОСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ ИЗ КРЕМНИЯ
§ 2.1. Моделирование переноса быстрых заряженных
частиц
§ 2.2. Взаимодействие моноэнергетического гамма-излучения
с плоским преобразователем из кремния

§ 2.3. Моделирование переноса гамма-квантов через
вещество
2.3.1. Спектры жесткого тормозного излучения
по поглотителями из стали
2.3.2. Энергетические факторы накопления для рентгеновского излучения
§ 2.4. Взаимодействие жесткого тормозного излучения,
прошедшего поглотитель, с преобразователем
из кремния
Выводы к главе
ГЛАВА 3. ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
С ПОМОЩЬЮ УСИЛИВАЮЩИХ ЭКРАНОВ
§ 3.1. Влияние передних усиливающих экранов
на регистрацию моноэнергетического
гамма-издучения
§ 3.2. Регистрация жесткого тормозного излучения
преобразователем с передними и задними
усиливающими экранами
§ 3,3, Боковые усиливающие экраны в мозаичном
полупроводниковом преобразователе
§ 3.4. Взаимное влияние детекторов и конструкция
мозаичного преобразователя жесткого
тормозного излучения
§ 3.5. Апертурные характеристики детекторов
Выводы к главе

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ РАБОТЫ ДЕТЕКТОРОВ И СРАВНЕНИЕ
С ЭКСПЕРИМЕНТАМИ
§ 4.1. Эквивалентные схемы ВДДДМ - и ЭДПД-структур
с постоянным смещением
§ 4.2. Импульсные и переходные характеристики
детектора излучения на основе ЩП-структуры
с постоянным смещением
§ 4.3. Эквивалентная схема ЩДДМ-структуры
с ВЧ смещением
§ 4.4. Коэффициент усиления ЩЩМ-структуры
с ВЧ смещением
§ 4.5. Экспериментальные подтверждения подученных
результатов и практические рекомендации
Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ

ственно определяются вираженнями:
Ws =М5П(Е)р; УІ(р=/ґ<р/7(£)р, й*Щ^ЯсрПА(Е)р
(І.15)
Числа электронов, соответствующие сигналу, фону и флуктуациям фона, даются выражениями / 62 /:
где иг - энергия образования пары электрон-дырка в полупро -воднике; р - фактор Фано / 63-67 /, учитывающий отклонение флуктуаций в числе образовавшихся электронов при заданной поглощенной энергии от пуассоновских вследствие преимущественной направленности на ионизацию процесса размена энергии. Наиболее вероятные значения фактора Фано для германия - 0,06, а для кремния - 0,07.
Пусть детектор представляет собой фотосопротивление с ко -эффициентом усиления £ , к которому приложено напряжение й . Если в некоторый момент времени в нём возникает количе -ство носителей Я з , то заряд, собранный за время накопления <1Н , даётся формулой
где ^ - зарад электрона, а & даётся выражением (1.9). Флуктуации фонового заряда при этом
(І.І8)