Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе

• Автор: Расматова, Светлана Васильевна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 117 с.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Кристаллическая структура азида свинца

1.2. Физико - химические свойства РЬЫв

1.3. Оптические свойства РЬ^

1.4. Фотоэлектрические свойства РЬИ6

1.5. Электрофизические свойства. Тип носителей заряда

1.6. Диаграмма энергетических зон азида свинца

1.7. Фотолиз азида свинца

1.8. Исследование фотоэлектрических свойств гетеросистем

«РЬИб — металл (полупроводник)»
1.9. Модели фотолиза азидов тяжелых металлов
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Синтез азида свинца и приготовление образцов для исследования
2.2. Масс - спектрометрический метод исследования
процесса фотолиза
2.3. Метод инверсионной вольтамперометрии
2.4. Методика измерения спектров диффузного отражения
2.5. Актинометрия источника излучения 51 ГЛАВА 3. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ
ГАЗООБРАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЬГ46 (Аб) И ГЕТЕРОСИСТЕМ «Р1>16 (Аб) - МЕТАЛЛ (Аё, РЬ, Си, Сб, N1)»,
«РЫЧ6 (Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК ( С(1Те, Сбв, Сй8е, СбО, Си20)>>
3.1. Кинетические закономерности фотохимического
разложения РЫ46(Аб)
3.2. Кинетические закономерности фотохимического
разложения гетеросистем «РЬК6(Аб) - металл»
3.3. Кинетические закономерности фотохимического

разложения гетеросистем «РЬМ6(Аб) - полупроводник»
3.4. Исследование темнового пост -газовыделения
ГЛАВА 4 ИДЕНТИФИКАЦИЯ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЬ^(Аб) И ГЕТЕРОСИСТЕМ «РЫЧ6(Аб) -МЕТАЛЛ»; «РЫЧ6(Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК»
4.1. Идентификация твердофазного продукта разложения азида свинца
4.2. Спектрофотометрическое исследование фотолиза РЬЫ6(Аб)
4.3. Спектрофотометрическое исследование фотолиза гетеросистем «РЬЫ6(Аб) - металл (РЬ, СД Ag, Си)»,
«РЬМ6(Аб) - полупроводник (СёТе, CdS, Си20)»
4.4. Определение лимитирующей стадии процесса роста
частиц фотолитического свинца
ГЛАВА 5. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ «РЫЧ6 (Аб) - МЕТАЛЛ (А^ РЬ, Си, СД N1)»,
«РЫЧ6 (Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК ( Сс1Те, CdS, С(18е, СбО, Си20)»
5.1 Диаграммы эгергетических зон «РЬЫб(Аб) - металл»
5.2 Фотопрцессы в гетеросистемах «РЬЫ6(Аб) - металл»
5.3 Диаграммы эгергетических зон гетеросистем
<<РЬЫ6(Аб) - полупроводник (СсГГе, Сей, Си20)»
5.4 Темновые процессы в гетеросистемах «РЬЫб(Аб) - полупроводник»
5.5 Фотопроцессы в гетеросистемах «РЬРГДАб) - полупроводник»
5.6 Расчет кинетических параметров фотолиза РЬЫДАб) и гетеросистем «РЬЩАб) - металл (полупроводник)»
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ния азида свинца - отрицательный, при освещении из длинноволновой области спектра - положительный.
Расположение металлов и полупроводников в порядке понижения ими 1Ф и иФ в собственной области поглощения азида свинца и повышения в длинноволновых областях спектра одинаковы с рядами металлов и полупроводников, расположенными в порядке понижения (повышения) ими скорости фотолиза РЬЫб (Ам, Аб) [2, 4, 5, 9]. После предварительного прогрева кривые спектрального распределения иФ, 1Ф, так же как и УФ для гетероструктур "РЬЫ6 - металл (полупроводник)" измененяются. Для предварительно прогретых гетеросистем "РЬЫб (Аб) - п-полупроводник" знак фотоЭДС со стороны азида свинца - положительный, а для "РЬЫб (Аб) - СигО" знак фотоЭДС со стороны азида свинца -отрицательный. Происходит также изменение расположения металлов и полупроводников в порядке уменьшения (увеличения) значений фотоЭДС и ц,.
Формирование фотоЭДС, корреляция кинетических кривых Уф, 1ф, и кривых спектрального распределения Уф, ^ и иф со спектрами поглощения и кривыми спектрального распределения ц, индивидуального РЬЫ6 и полупроводников, одинаковый характер влияния металлов и полупроводников на Уф и ц, результаты измерений КРП [44], исследований фотоэлектрических свойств прогретых гетеросистем "РЬМб -металл (полупроводник)" позволило авторам [2-11, 59, 60] сделать вывод о контактной, фотоэлектрической природе изменения металлами (полупроводниками) Уф, ц и иФ в разных спектральных областях, а так же о наличии на границе раздела гетеросистем "азид свинца - металл (полупроводник)" поверхностных электронных состояний (ПЭС) высокой плотности и их значительной роли в процессах перераспределения носителей заряда на контактах (в темноте и при облучении).
1.9 Модели фотолиза азидов тяжелых металлов.
Согласно литературным данным [1, 2-9, 12, 13, 22- 25, 36, 37, 41, 42, 44, 48, 50 - 58, 60 - 65, 67, 68 - 75] для объяснения кинетических закономерностей