Физико-химические основы получения магнитных полупроводников - халькогенидных шпинелей типа A1-xBxCr2X4(A, B=Fe, Co, Cu, Zn, Cd, Sn, Hg; X=S, Se)

• Автор: Жуков, Эдуард Григорьевич
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 246 с. : ил.

ГЛАВА 1. Физико-химические свойства халькогенидных шпинелей и методы их получения в поли- и монокристаллическом виде (литературный обзор)

1.1. Структурные и кристаллохимические особенности халькогенидных шпинелей

1.2. Диаграммы состояния систем, содержащих шпинельные фазы

1.3. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей

1.4. Синтез и выращивание монокристаллов

1.5. Физические свойства магнитных полупроводников

1.6. Проблемы получения халькогенидных шпинелей

ГЛАВА 2. Экспериментальная часть (методы исследования)

2.1. Получение халькогенидных шпинелей

2.1.1. Характеристика и очистка исходных веществ

2.1.2. Синтез поликристаллических соединений

2.1.3. Выращивание монокристаллов
2.1.4. Получение пленок
2.1.5. Получение керамических образцов
2.2. Методы физико-химического анализа
2.3. Термическая устойчивость
2.4. Контроль состава магнитных полупроводниковых фаз
2.5. Физические свойства магнитных полупроводников
ГЛАВА 3. Физико-химическое исследование систем, содержащих магнитные полупроводниковые фазы, и синтез поликристаллических соединений
3.1. Диаграмма состояния системы ГеБ - Сг283
3.2. Диаграмма состояния системы СоБ - Сг283
3.3. Синтез поликристаллических халькогенидных шпинелей
3.3.1. Тетрасульфид дихрома-железа
3.3.2. Тетрсульфид дихрома-кобальта
3.3.3. СихСо,.хСг284 и СихГе|.хСг284
3.3.4. Твердые растворы на основе СиСг28е4
ГЛАВА 4. Физико-химические основы выращивания монокристаллов
халькогенидных шпинелей из раствора в расплаве
4.1. Исследование систем шпинель — растворитель
4.1.1. Система СоСг284 - СоС12
4.1.2. Система СоСг2Б4 — растворитель
4.2. Выращивание монокристаллов халькогенидных шпинелей методом кристаллизации из раствора в расплаве
4.2.1. Тетрасульфиды дихрома железа и кобальта
4.2.2. Тетраселенид дихрома-ртути
4.2.3. Твердые растворы СихРе|.хСг284 и СихСо1.хСг284
ГЛАВА 5. Физико-химические основы выращивания монокристаллов методом химических транспортных реакций
5.1. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей и их твердых растворов в вакууме
5.1.1. Тетрасульфиды дихрома-железа и кобальта
5.1.2. Твердые растворы СихГе|.хСг284 и СихСо1_хСг284
5.1.3 Твердые растворы на основе тетраселенида дихрома-ртути
5.2. Кинетика массопереноса в процессе химического транспорта
5.2.1. Н§Сг28е4
5.2.2. СиСг28е4
5.3. Выращивание монокристаллов халькогенидных шпинелей методом химических транспортных реакций
5.3.1. Влияние технологических параметров на габитус и размеры монокристаллов соединений
5.3.2. Выращивание монокристаллов твердых растворов
5.4. Анализ состава монокристаллов
ГЛАВА 6. Физико-химические аспекты получения ■ пленок магнитных полупроводников - халькогенидных шпинелей
6.1. Получение и свойства пленок тетрасульфидов дихрома-железа и кобальта
6.2. Получение и свойства пленок тетраселенида дихрома-кадмия
ГЛАВА 7. Физико-химические основы получения керамических образцов халькогенидных шпинелей
7.1. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей и их твердых растворов на воздухе
7.2. р - Т диаграммы халькогенидных шпинелей и получение керамических образцов
7.2.1.FeCr2S
7.2.2. CoCr2S4
7.2.3. HgCr2Se4
7.2.4. Твердый раствор Cu0,3Co0,7Cr2S4
7.3. Влияние высоких давлений на электрические свойства
халькогенидных шпинелей
ГЛАВА 8. Физические свойства монокристаллов, пленок и керамических образцов магнитных полупроводников - халькогенидных шпинелей
8.1. Монокристаллы магнитных полупроводников
8.2. Керамические образцы магнитных полупроводников
8.3. Влияние чистоты исходных веществ на величину фотоферромагпитного эффекта монокристаллов CdCr2Se4
8.4. Влияние отжига в различных средах на физические свойства монокристаллов магнитных полупроводников
8.5. Перспективы практического использования магнитных
полупроводников
ВЫВОДЫ
Список цитируемой литературы