Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм
- Автор:
Петровский, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.21
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs для инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм», автор — Петровский, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.21. Работа подготовлена в городе Москва в 2009 году. Объем работы: 115 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004255432. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| ВКР активные кристаллы и разработка ВКР преобразователей на их основе | Зверев, Петр Георгиевич | 2011 |
| Пространственно-временная динамика предельно коротких световых импульсов в системах с комбинированной дисперсией и нелинейностью | Воронин, Александр Александрович | 2013 |
| Импульсные и непрерывные источники излучения для терагерцовой спектроскопии молекул и кристаллов | Смирнова, Ирина Николаевна | 2013 |