Исследование монокристаллов иодата лития германата свинца методом аннигиляции позитронов

• Автор: Захарянц, Ашот Галустович
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Аштарак
• Количество страниц: 152 c. : ил

ПАВА I. АВТОМАТИЧЕСКИЙ СПЕКТРОМЕТР ПО ИЗМЕРЕНИЮ УГЛОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АННИГИЛЯЦИОННЫХ ФОТОНОВ
І.І»Система детекторов и источник позитронов
1.2.Система отбора и.записи информации
1.3.Механическая часть
1.4 .Система автоматики
1*5 .Вертикал ьно е при борно е ра зрешение
1„6.Работа со спектрометром
ПАВА 2. СПЕКТРОМЕТР ПО ИЗМЕРЕНИЮ ВРЕМЕНИ ІИЗНИ ПОЗИТРОНОВ В КРИСТАЛЛАХ
2.1.Физические основы и развитие метода измерения временных спектров
2.2.Спектрометр по измерению времён жизни позитронов "РОЫЗ"
а) Механическая часть
б) Система детекторов ^'-излучения
в) Формирователь-дискриминатор со следящим порогом (ФСП)
г) Время-амплитудный преобразователь (ВАП)
д) Схема совпадений с привязкой по времени выходного импульса к импульсу на входе
е) Медленный канал
ж) Принцип работы временного спектрометра
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ot-LiJO^ МЕТОДОМ АННИГИЛЯЦИИ ПОЗИТРОНОВ Введение
3.1.Кристаллы иодата лития
3.2.Аннигиляция позитронов в беспримесных монокристаллах oc-LlJO^
3.3.Наблюдение светового излучения индуцированного
. позитронами в монокристалле oc-LiJO^
3.4.Температурные и ориентационные измерения спектров
. УРАФ в иодате лития
3.5.Аннигиляция позитронов в монокристаллах
. ,с примесью ионов Fe^+
3.6.Аннигиляция позитронов вт^-облучённых монокристаллах oC-LiJO^
Приложение
ПЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ot-Ft^Ge^ МЕТОДОМ АННИГИЛЯЦИИ ПОЗИТРОНОВ
4.1.Кристаллическое строение
4.2.Аннигиляция позитронов в беспримесных монокри-
. . сталлах германата свинца
4.3.Температурная зависимость спектров УРАФ монокристаллов Fb^Ge^0^y|
4.4.Аннигиляция позитронов в монокристаллах германата свинца с примесью ионов Gd?+
ЗА ГОНЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В последние годы метод аннигиляции позитронов находит широкое применение для исследования внутренней структуры вещества. Особенно детальные исследования проведены в области физики металлов, где этот метод позволяет получать информацию о форме поверхности Ферми, об электронной структуре дефектов их энергетических характеристиках и фазовых переходах. Эти свойства в конечном итоге определяют многие из. свойств используемые в практике. За последнее время метод аннигиляции позитронов с успехом применялся и при исследовании полупроводниковых материалов.
Очень интенсивно метод аннигиляции позитронов применяется для исследования свойств монокристаллов, в особенности щелочно-галлоидных кристаллов, которые являются модельными объектами для понимания процессов, происходящих в конденсированных средах. Здесь в первую очередь очень важны исследования, выполненные в бездефектных совершенных монокристаллах. Эта область, как ни странно, до последних лет была наиболее слабо изучена.
Важно отметить, что метод аннигиляции позитронов дает полезную, подчас уникальную информацию о широком классе проблем физики конденсированных средств,, в особенности относительно волновых функций электронов в момент их столкновений с позитроном. Пожалуй самое распространное в последнее время применение метода аннигиляции позитронов связано со свойством позитрона захватываться дефектными областями кристалла. Излучаемые затем аннигиляционные кванты несут полезную информацию о структуре и природе самого дефекта, в частности об особенностях импульсных распределений и о волновых функциях электронов, входящих в состав дефекта. Сочетание метода аннигиляции позитронов с традиционными методами исследования, такими как радиоспектроскопия,
+ 0,8 Sk
Рис. 18. Принципиальная схема ФСЇЇ.